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公开(公告)号：CN106847925A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710087033.8
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
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公开(公告)号：CN105428236A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511025094.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
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公开(公告)号：CN103077891B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN102883314B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210351906.9
申请日：2012-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02D70/14
Abstract: 本发明为无线个域网信标广播的低速率拒绝休眠攻击的防御方法，无线个域网中协调器以“超帧”结构周期性地发送信标帧来规范和同步网内节点间的通信，网内节点根据信标帧的信息安排本节点“超帧”结构。本法以每个“超帧”中活跃时段长度与整个“超帧”时段长度的比值为占空比，按网络运行过程中正常信标中可能出现的最大占空比设置阈值，网内节点计算当前所接收到的信标帧中活跃时段长度与整个“超帧”时段长度的比值，当该比值小于阈值时判断其为攻击信标，作丢弃处理。根据最大业务量、时延等确定在网络在运行中正常信标帧的最大占空比，由此确定阈值。本法通过简单的计算和比较，有效避免拒绝休眠攻击，基本不增加额外能量开销。
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公开(公告)号：CN104112286A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410376417.8
申请日：2014-08-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于几何结构特征和自相似性的图像压缩感知重构方法。包括判定图像块的结构类型；使用同步正交匹配追踪算法对每个图像块获得重构估计值；为每个图像块进行局部和非局部相似块匹配；产生初始解集，进行优化，得到候选解集，进而得到图像块的优化重构估计值；将图像块按顺序拼接起来；重构图像。本发明能够有效减少图像压缩感知重构的不确定性，获得对图像更准确的重构估计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104077761A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410293009.6
申请日：2014-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T5/50
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应稀疏表示的多聚焦图像融合方法，根据原始图像中结构特征的不同将子块进行分类，使原始图像分为相同模型、平滑模型和细节模型。然后将相同模型直接放入融合结果图像中，对平滑模型和细节模型分别采用算术平均法和稀疏表示法进行图像块融合。本发明的有优点是能够分割出平滑模型和细节模型，减少稀疏编码的图像块数，从而在确保融合图像主观效果和客观性能指标均优的基础上，缩短了运算时间。
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公开(公告)号：CN103368530A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310328083.2
申请日：2013-07-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公开了一种自适应雪崩三极管脉冲产生器，包括雪崩三极管脉冲产生电路，还包括漏电流取样电路、比较电路，用于比较漏电流取样电路的电压与基准电压Vref值的大小并形成输出信号；可调电源电路，用于向所述雪崩三极管脉冲产生电路施加电压，其具有接收所述比较电路的输出信号的控制端，实现对可调电源电路的电压控制；漏电流取样电路串行接入雪崩三极管脉冲产生电路三极管的集电极回路中，进行三极管漏电流的取样，比较电路的输入端与漏电流取样电路电连接，比较电路的输出端与可调电源电路的控制端连接，可调电源电路与雪崩三极管脉冲产生电路连接。本发明无需手动调整电源电压，较好地解决三极管参数的离散性影响，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN206643500U
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201720224867.4
申请日：2017-03-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K26/064 , B23K26/364 , H01L21/78
Abstract: 本实用新型公开一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统，包括激光器、扩束镜、光阑、反射镜、分束元件、可变焦距系统和移动平台；激光器出射的激光光束经扩束镜扩束后垂直进入光阑，经过光阑滤掉边缘杂光后的激光光束入射到反射镜，经过反射镜反射后的激光光束入射到激光光束分束元件，激光光束分束元件输出性质完全一致的两束激光光束，两束激光光束进入可变焦距系统，经可变焦距系统调节后的两束激光光束聚焦于位移平台上的晶圆片，两束激光光束共同作用于晶圆片上实现同步化片。本实用新型采用分束元件和可变焦距系统进行组合调节光束间距，设备简便、通用型强，加工质量高、效率好，尤其适用于含low-k介质晶圆片的划片加工。
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公开(公告)号：CN201177901Y
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200820104207.3
申请日：2008-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型是用于现代通信原理教学的实验设备。由基本模块、示波器显示系统与电源供应系统通过连接线连接而成，基本模块有：信源模块、调制模块、载波时钟提取模块、解调模块、帧同步模块、终端模块、PCM编译码模块、增量调制编译码模块、HDB3编译码模块、时域均衡器模块、光纤传输模块和CPLD/FPGA数字通信设计平台，各模块相对独立，模块上有单根连线的连接头和排线连接的输入输出接口。本实用新型中的各个基本模块可以根据实验目的和要求进行组合搭配，完成新教学目标所要求的各项实验，包括过去的实验箱不能进行的实验，并可以通过拆装、改变连接、设置人为故障并排除以及进行编程设计等进行创新性、自主性、验证性、设计性的实验。
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公开(公告)号：CN206422040U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041157.8
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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