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公开(公告)号：CN101867080A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010181105.3
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种体硅微机械谐振器及制作方法，其特征在于所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的，衬底硅片的正面与结构硅片的背面，结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一起；制作时先将悬浮结构——谐振振子正下方的空腔制作好，再将器件结构层通过键合的方法制作在空腔上方，然后通过干法刻蚀在制作谐振器器件结构的同时，也将谐振器器件结构进行释放，最后利用真空圆片对准键合把盖板硅片固定在结构硅片上方。由于谐振器下方的空腔在器件结构制作之前用湿法腐蚀制成，并且采用圆片级封装对器件进行真空密封。
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公开(公告)号：CN101858929A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010181131.6
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B5/00 , B81C3/00
Abstract: 本发明涉及对称组合弹性梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称直梁、两个对称框架梁、八根对称L梁连接在一起形成的组合弹性梁结构以及上、下盖板组成。与框架梁相连接的每根直弹性梁的另一端连接在中心质量块侧面顶端和底端的中间或顶角，与框架梁相连接的每根L梁的另一端连接在外部支撑框架内侧面。本加速度传感器采用对称直梁、框架梁、L梁连接在一起形成的组合弹性梁结构，具有高度对称性，可以显著减小传感器的交叉灵敏度，传感器采用微电子机械系统技术制作，是一种高灵敏度的电容式微加速度传感器。
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公开(公告)号：CN100595534C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200510026743.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F-P红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F-P腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定F-P腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度，在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜，光刻并刻蚀出微镜图案，随后去掉牺牲层材料，释放可动微镜，最后在真空中作硅-玻璃键合，形成F-P腔。本发明的优点在于：采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺，可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F-P腔，提高了器件的红外探测性能，同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装，不需要专门的真空封装，简化了工艺，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN101567394A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
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公开(公告)号：CN101493574A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810204560.3
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械推拉式可调谐光栅，其特征在于所述的微机械推拉式可调谐光栅包括光栅条阵列、光栅链接梁、光栅支撑梁以及所连接的推驱动器和拉驱动器，其中，光栅条阵列通过光栅链接梁相连后构成光栅本体，再通过光栅支撑梁与推驱动器和拉驱动器相连构成微机械推拉式可调谐光栅；所述的推驱动器或拉驱动器位于光栅本体的一侧或两侧；光栅链接梁为1级或多级细弹性梁。本发明提供推拉式光栅结构降低了常规拉伸式DRIE工艺的苛刻要求，在相同条件下可实现更大的调谐范围，且可采用常规的MEMS工艺，易于大批量、低成本制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101311105A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810033916.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN101271124A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810037511.5
申请日：2008-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种L梁压阻式微型加速度计及其制作方法，包括支撑主框架体、弹性梁、质量块、盖板等，其特征在于所述的汤型梁呈L形，L形弹性梁的长臂与支撑主框架体的边框相连，质量块通过L形弹性梁支撑悬于支撑边框体的中间，L形弹性梁的短臂与质量块上表面的顶角相连；支撑主框架体的上、下两面粘合有盖板；L形梁的长臂的根部和顶端各设置有压敏电阻，每根L形梁上的两个阻值相等的压敏电阻组成惠斯顿电桥的单边应变的电桥。采用微电子机械加工技术作为关键制作技术。解决现有压阻式微加速度计不能同时满足灵敏度高、体积小、成本低、交叉干扰小、易于加工的问题。
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公开(公告)号：CN101226850A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810032861.2
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及硅微机械压力开关、制作方法及其应用。其特征在于所述的压力开关包括上下两个电极，两电极间有二氧化硅作为绝缘层进行隔离，上电极包括空气腔，硅弹性薄膜，节流孔，框架；下电极包括导流孔。其特征在于湿法腐蚀硅可同时形成空气腔和硅弹性薄膜；所有结构都由硅材料构成，便于实现和制动电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成节流孔和框架，能精确控制节流孔的尺寸。将所述的压力开关安装在每一个轮胎中，当轮胎爆胎后，该开关能迅速闭合，从而接通轮胎制动装置电路，使轮胎快速制动。
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公开(公告)号：CN101214950A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032806.3
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备单壁碳纳米管的方法，属于纳米材料制备领域。本发明采用金刚石纳米颗粒为催化剂或成核模板，以含碳的原料气体为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中制备单壁碳纳米管。本发明由于采用金刚石纳米颗粒作为催化剂或成核模板制备单壁碳纳米管，可避免采用任何金属催化剂制备单壁碳纳米管所带来的非碳元素对单壁碳纳米管的污染，且无需考虑常规金属催化剂在高温下因聚集而催化失效的问题，同时具有催化效率高、操作简单的特点。
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公开(公告)号：CN1326225C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410067931.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械芯片测试探卡及制造方法，它是采用微机械的方法在硅片上实现探卡的制造，所述的探卡是由按照芯片管脚分布而排布的悬臂梁阵列实现的，针尖在悬臂梁的末端，并且保证每个针尖的位置与相应的芯片管脚的位置一致。悬臂梁一端是探针，另一端键合在玻璃上。玻璃同时用作背面引线，引线将探针上的信号传输到测试电路。在一片硅片上通过改变探针的分布可以实现适用于不同芯片的探卡，从而降低了探卡的成本。释放梁结构与针尖的形成同时完成，梁的台阶结构在蒸金属时起了自动隔断作用。
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