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公开(公告)号：CN118332886A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410351210.9
申请日：2024-03-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明提供一种基于SRIM实现器件辐照损伤程度评估的仿真方法，涉及电数字数据处理技术领域。此方法包括：利用SRIM软件进行建模，得到各入射位置对应的二维器件结构模型，对各二维器件结构模型依次进行校准、设置入射粒子的参数和粒子辐照，确定出各二维器件结构模型对应的平均空位数和电离能量数据并对其进行保存；根据辐照剂量、材料的原子数密度和平均空位数，计算辐照后的各二维器件结构模型的原子平均离位数；以及根据材料密度和电离能量数据，计算辐照后的各二维器件结构模型的传能线密度，可获得不同辐照粒子在辐照后的各二维器件结构模型中的原子平均离位数和传能线密度，为器件辐照位损伤和电离损伤的研究提供准确地理论指导。
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公开(公告)号：CN112397504B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202011280765.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种用于40纳米5V‑CMOS电路的ESD防护装置，包括：P型衬底，P型衬底上设置有相邻的N阱和P阱；其中，N阱内从左至右依次设有第一N+注入区、第一浅沟槽隔离区以及第一P+注入区；N阱和P阱之间跨接有第二P+注入区，第一P+注入区和第二P+注入区之间的表面设有第一栅氧化层区；P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第三N+注入区、第二浅沟槽隔离区以及第三P+注入区，第二N+注入区与第三N+注入区之间的表面设有第二栅氧化层区；第二P+注入区与第二N+注入区之间设有第三浅沟槽隔离区。本发明提供的ESD防护装置降低了器件触发电压，提高了维持电压，克服了传统LVTSCR器件结构的闩锁和潜在失效问题，同时优化了器件的过冲电压特性。
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公开(公告)号：CN117786974A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810675.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，公开了一种基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI器件仿真方法，包括：基于第一电学特性文件和第一物理特性文件，确定FDSOI器件；对FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第一器件烧毁时间；对FDSOI器件进行总剂量仿真，得到总剂量仿真结果；根据总剂量仿真结果，确定更新后的FDSOI器件；对更新后的FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第二器件烧毁时间；通过比对第一器件烧毁时间和第二器件烧毁时间，确定总剂量和强电磁脉冲耦合对FDSOI器件的影响。通过这种方式，可以准确获得空间中器件真实的抗电磁效应能力，从而精确获得空间中的器件的使用寿命，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117634202A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667396.0
申请日：2023-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法，涉及半导体器件技术领域。其中，FDSOI器件的NBTI与总剂量耦合效应的仿真方法，通过将预先建立的二维器件结构模型导入到sdevice指令文件，生成第一sdevice指令文件，并以该第一sdevice指令文件为基础进行Trap添加、NBTI仿真物理模型添加以及总剂量辐射效应设置处理，最终得到NBTI与总剂量耦合效应的仿真结果，实现了总剂量辐射效应和器件自身可靠性的关联性研究，提高了器件在仿真验证中的可靠性和灵活性。
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公开(公告)号：CN117350217A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311301551.7
申请日：2023-10-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/28 , G06T17/00 , G06F119/02 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米线器件的SRAM总剂量和单粒子的耦合仿真方法，将器件级仿真与电路级仿真相结合，先建立纳米线三维器件模型进行总剂量仿真，再根据总剂量仿真后的器件进行与单粒子的耦合仿真，最后建立SRAM电路模型，并提取器件级的仿真结果并添加到电路级仿真中。通过器件仿真获取了准确的单粒子瞬态脉冲电流，在通过电路级仿真确保了仿真结果的收敛性，既兼顾了仿真的准确性又提高了仿真速度。在总剂量辐照和单粒子入射的耦合作用下，实现了SRAM电路在总剂量辐照和单粒子入射的耦合仿真，仿真结果更符合真实的太空环境，提高了辐照环境下可靠性预测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117034835A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311062427.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应与器件射频特性的联合仿真方法，该联合仿真方法包括：利用仿真软件对器件进行建模，得到用于总剂量效应与交流小信号联合仿真的器件模型；对器件模型进行交流小信号仿真，得到射频特性变化曲线A；对器件模型进行总剂量效应与交流小信号的联合仿真，得到总剂量辐照后的射频特性变化曲线B；将射频特性变化曲线A和射频特性变化曲线B进行对比，如果射频特性变化曲线A大于射频特性变化曲线B的对应值，则总剂量效应使器件射频特性恶化，反之，则总剂量效应使器件射频特性改善。本发明的联合仿真方法将总剂量辐照仿真与交流小信号仿真联合起来，解决了联合仿真的收敛性问题。
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公开(公告)号：CN116626459A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310327705.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种PDSOI器件经时击穿与总剂量辐照耦合实验方法，包括以下步骤：S1：获取PDSOI器件作为待测样品，将所述待测样品分为两组；并设置实验温度为T1；S2：对第一组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S3：对第二组待测样品进行总剂量辐照实验；S4：对进行总剂量辐照实验后的第二组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S5：将两组待测样品的实验数据进行分类并进行分析。该实验方法对PDSOI的经时击穿效应与总剂量辐照效应两者进行耦合，在特定温度下对器件施加应力，得到不同环境温度下这两种效应相互耦合后对器件敏感参数产生的退化数据，实验中的条件设置可以根据需求灵活改变。
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公开(公告)号：CN113161240B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110179164.5
申请日：2021-02-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种基于45nm工艺的多金属异质栅介质抗辐照MOS场效应管及方法，方法包括：SOI材料制备；衬底掺杂；沟槽制备；STI填充；多栅氧化层制备；多金属异质栅制备；制作轻掺杂源漏；侧墙制备；制作源漏区；清洗表面，器件完成。本发明中引入多金属异质栅结构，通过不同的栅金属与栅介质的组合，提高了器件的电学性能，消除了场氧陷阱引起的敏感参数退化，使得器件在辐照环境中泄漏电流减小，消除了寄生效应对器件阈值电压漂移的影响，提高了器件工作可靠性与抗总剂量辐照的能力。
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公开(公告)号：CN115148255A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210543087.1
申请日：2022-05-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G11C11/419 , G11C11/411
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路，涉及集成电路技术领域，包括：存储模块，存储模块包括第一节点和第二节点，存储模块用于存储第一节点和第二节点的电平数据；其中，第一节点和第二节点的电平数据包括第一节点和第二节点的高电平和低电平；冗余节点模块，冗余节点模块包括第三节点和第四节点，第四节点的电平数据与第二节点的电平数据相同，第三节点的电平数据与第一节点的电平数据相同；冗余节点模块用于备份第一节点和第二节点的电平数据；存取模块，存取模块用于对第一节点和第二节点的电平数据读取或写入。本申请在SRAM单元占用较小面积的情况下，能够有效提高SRAM单元的抗单粒子翻转能力。
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公开(公告)号：CN113160864B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110217615.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/18 , G11C8/14
Abstract: 本发明提供了一种基于静态存储器的抗单粒子翻转的加固电路，由于该加固电路结合了DICE单元和稳定结构的优点，因此该电路具备完全的抗单节点翻转能力，同时敏感节点数量的减小使得存储电路的抗双节点能力提高，因此，该加固电路具备完全的抗单节点翻转能力，同时基本具备抗双节点翻转能力。该加固电路优良的抗单粒子性能可以提高航天存储器的抗单粒子能力。
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