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公开(公告)号：CN118332886A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410351210.9
申请日：2024-03-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明提供一种基于SRIM实现器件辐照损伤程度评估的仿真方法，涉及电数字数据处理技术领域。此方法包括：利用SRIM软件进行建模，得到各入射位置对应的二维器件结构模型，对各二维器件结构模型依次进行校准、设置入射粒子的参数和粒子辐照，确定出各二维器件结构模型对应的平均空位数和电离能量数据并对其进行保存；根据辐照剂量、材料的原子数密度和平均空位数，计算辐照后的各二维器件结构模型的原子平均离位数；以及根据材料密度和电离能量数据，计算辐照后的各二维器件结构模型的传能线密度，可获得不同辐照粒子在辐照后的各二维器件结构模型中的原子平均离位数和传能线密度，为器件辐照位损伤和电离损伤的研究提供准确地理论指导。
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