公开(公告)号：CN117216944A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311023755.9

申请日：2023-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  周伟 ,  尹晨宇 ,  黄孟豪 ,  李星 ,  王树龙 ,  陈树鹏

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/17 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种适用于多种可靠性效应耦合研究的SOI FinFET器件的建模方法，利用Sentaurus TCAD软件以及结构参数建模得到FinFET器件的三维结构模型；对三维结构模型进行总剂量效应的仿真和热载流子效应仿真，得到仿真耦合效应后的第二电学特性参数；利用第二电学特性参数更改三维结构模型，使得更改后的三维结构模型的电学特性参数与第二电学特征参数一致，从而模拟SOI FinFET器件在总剂量耦合热载流子效应条件下的真实工作状态。本发明能有效降低器件仿真误差、提供建模的准确性，对器件仿真更多可靠性效应耦合分析提供模型基础；此外本发明具备更好的收敛性，适应于各类结构复杂的半导体器件。

公开(公告)号：CN117350217A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311301551.7

申请日：2023-10-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  尹晨宇 ,  周伟 ,  王树龙 ,  陈树鹏

IPC: G06F30/367 ,  G01R31/28 ,  G06T17/00 ,  G06F119/02 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种基于纳米线器件的SRAM总剂量和单粒子的耦合仿真方法，将器件级仿真与电路级仿真相结合，先建立纳米线三维器件模型进行总剂量仿真，再根据总剂量仿真后的器件进行与单粒子的耦合仿真，最后建立SRAM电路模型，并提取器件级的仿真结果并添加到电路级仿真中。通过器件仿真获取了准确的单粒子瞬态脉冲电流，在通过电路级仿真确保了仿真结果的收敛性，既兼顾了仿真的准确性又提高了仿真速度。在总剂量辐照和单粒子入射的耦合作用下，实现了SRAM电路在总剂量辐照和单粒子入射的耦合仿真，仿真结果更符合真实的太空环境，提高了辐照环境下可靠性预测的准确性。