公开(公告)号：CN116626459A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310327705.3

申请日：2023-03-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  杨建业 ,  王树龙 ,  陈树鹏

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明涉及一种PDSOI器件经时击穿与总剂量辐照耦合实验方法，包括以下步骤：S1：获取PDSOI器件作为待测样品，将所述待测样品分为两组；并设置实验温度为T1；S2：对第一组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S3：对第二组待测样品进行总剂量辐照实验；S4：对进行总剂量辐照实验后的第二组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S5：将两组待测样品的实验数据进行分类并进行分析。该实验方法对PDSOI的经时击穿效应与总剂量辐照效应两者进行耦合，在特定温度下对器件施加应力，得到不同环境温度下这两种效应相互耦合后对器件敏感参数产生的退化数据，实验中的条件设置可以根据需求灵活改变。

公开(公告)号：CN114636908A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210109343.6

申请日：2022-01-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  杨建业

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种改进的经时击穿测试方法，应用于半导体参数分析仪，所述半导体参数分析仪连接有待测器件，所述方法包括：步骤1：按照预设参数和预设测试规则，对待测器件进行经时击穿测试，以获取测试过程中的输出特性变化曲线和转移特性变化曲线；步骤2：基于转移特性曲线，得到阈值电压和跨导曲线；步骤3：通过中带电压法，提取得到氧化层电荷变化量和界面态电荷变化量；步骤4：根据所述氧化层电荷变化量和界面态电荷变化量，确定氧化层电荷密度值和界面态电荷密度值。本发明能够提取待测器件内部的氧化层电荷和界面态电荷的变化情况，以对待测器件进行后续精准的质量评估。

公开(公告)号：CN102148706A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110027743.4

申请日：2011-01-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 高琳 ,  覃桂敏 ,  熊站营 ,  杨建业

IPC: H04L12/24 ,  G06F17/30

Abstract: 本发明公开了一种动态复杂网络中的进化模式挖掘方法，用于解决大规模动态复杂网络中局部拓扑结构演化特征的分析，方便用户对复杂系统的行为和发展趋势进行预测。本发明将动态复杂网络中多个时刻的网络数据，在保留有用信息的前提下，构造成边上带有标签的总和图；在总和图上，通过字符串匹配来搜索规则边，并记录每条规则；根据规则边，构造权重图，完成进化模式的搜索。本发明中模式的定义具有通用性，可以处理噪声数据，发现近似模式和保守子结构；模式挖掘方法简单灵活，避免了常规频繁模式挖掘方法中产生候选子集和子图同构的复杂计算，具有非常高的效率。