公开(公告)号：CN115148255A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210543087.1

申请日：2022-05-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  刘长俊 ,  王树龙 ,  陈树鹏

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/411

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路，涉及集成电路技术领域，包括：存储模块，存储模块包括第一节点和第二节点，存储模块用于存储第一节点和第二节点的电平数据；其中，第一节点和第二节点的电平数据包括第一节点和第二节点的高电平和低电平；冗余节点模块，冗余节点模块包括第三节点和第四节点，第四节点的电平数据与第二节点的电平数据相同，第三节点的电平数据与第一节点的电平数据相同；冗余节点模块用于备份第一节点和第二节点的电平数据；存取模块，存取模块用于对第一节点和第二节点的电平数据读取或写入。本申请在SRAM单元占用较小面积的情况下，能够有效提高SRAM单元的抗单粒子翻转能力。

公开(公告)号：CN116167308A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211595320.7

申请日：2022-12-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  刘长俊 ,  王树龙 ,  陈树鹏

IPC: G06F30/33

Abstract: 本发明涉及一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，包括：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，两个三态门的输出端对应连接SRAM加固单元的第一位线和第二位线，SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；通过控制三态门的输出以及外部字线控制电压，对SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；获取weibull函数电流源，根据weibull函数电流源以及读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到weibull函数电流源。本发明能够有效且快速地对SRAM电路加固单元进行功能和性能评估。