公开(公告)号：CN101499472B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910003767.9

申请日：2009-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/482 ,  H01L21/82 ,  G01R31/28 ,  G06K7/10

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置。本发明提供一种半导体器件(100)，包括：基板(102)；键合焊盘(110)，提供在基板(102)上方；以及电感器(112)，提供在基板(102)上方并在键合焊盘(110)下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。

公开(公告)号：CN101640198B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910164692.2

申请日：2009-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。

公开(公告)号：CN102130103A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010597887.9

申请日：2010-12-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  小川健太

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  G11C5/005 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/117 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0949 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0228 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1572 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及外部存储装置和制造外部存储装置的方法。存储元件被提供在半导体芯片中，并且电感器和驱动器电路被提供在另一半导体芯片中。外部端子是接触型端子，并且至少一些外部端子是电源端子和接地端子。密封树脂层形成在互连基板的第一表面上方并且密封半导体芯片但是没有覆盖外部端子。电感器形成在没有面对互连基板的半导体芯片的表面处。

公开(公告)号：CN102043979A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010513375.X

申请日：2010-10-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  大窪宏明 ,  冈田光司 ,  中田茂治 ,  香川修一

IPC: G06K19/077 ,  G11C16/22

CPC classification number: G06K19/073 ,  G11C7/24 ,  H03K19/017509

Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。

公开(公告)号：CN101452931B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810189692.3

申请日：2005-01-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN208157406U

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201820538939.7

申请日：2018-04-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  中柴康隆 ,  饭田哲也 ,  桑原慎一

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，其实现变压器的绝缘耐压的提高，而不会导致制造工序的复杂化。半导体装置能够利用电感耦合进行信号传送，其中，该半导体装置包括第1半导体芯片，所述第1半导体芯片具备：第1层间绝缘膜；布线层，形成于所述第1层间绝缘膜上；第2层间绝缘膜，覆盖所述布线层，且形成于所述第1层间绝缘膜上；第1电感器，形成于所述布线层；以及导体图案，形成于所述布线层，在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，形成有凹凸形状，所述凹凸形状包括彼此相邻的凸部和凹部，在所述凸部上配置有所述导体图案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利