公开(公告)号：CN101452931B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810189692.3

申请日：2005-01-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN100521205C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510004377.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/00 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN101452931A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810189692.3

申请日：2005-01-17

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN1677671A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062739.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/58 ,  G01K7/22 ,  G01K7/18

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  G01K7/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。

公开(公告)号：CN100394588C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510062739.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L23/34 ,  G01K7/16 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  G01K7/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。

公开(公告)号：CN1645613A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004377.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/00 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN1227973A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN99102738.8

申请日：1999-03-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明

IPC: H01L29/78

Abstract: 在MOSFET半导体器件中，在沟道区内的源－漏间的电流路径中，含有与隔离区接触的部分的路径包括一其长度不短于所述源－漏间最小距离且不与所述隔离区接触的路径。