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公开(公告)号：CN205428988U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620205188.8
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N?GaN、有源发光层及P?GaN构成；导电层形成在P?GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P?GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N?GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P?GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本实用新型可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN209709012U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201822108601.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205645860U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282727.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
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公开(公告)号：CN205428991U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620103259.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205428930U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620140940.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种高压LED，涉及LED的制造技术领域。包括设置在衬底上的多个元胞，各元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间设置金属连接层；每个元胞包括N?GaN层、量子阱层和P?GaN层，在P?GaN层上设置第一电极，在N?GaN层上设置第二电极，其特征在于在各元胞的量子阱层侧壁、N?GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N?GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P?GaN层侧壁及P?GaN层表面设置DBR绝缘层。由于以上设置，可减少因为N极挡住的光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN208938997U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821256392.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一倒装发光芯片，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208690284U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201821259151.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208690283U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201821242998.6
申请日：2018-08-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体发光芯片，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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