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公开(公告)号：CN116288245A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310328440.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜制备的装置，包括反应室和气体输入系统，反应室内设有用于掺杂生长的样品托和金刚石衬底，所述样品托呈倾斜状，且所述样品托上设有容纳所述金刚石衬底的凹槽，所述气体输入系统包括第一管路和第二管路，所述第一管路位于所述反应室的顶部，所述第二管路位于所述样品托一侧。所述第二管路可位于所述样品托底部中心，呈圆孔结构；本发明提供的反应室和气体输入系统，能够有效改善磷掺杂金刚石效率低与MPCVD腔室中杂质沾污问题，掺杂效率高，重复性好，质量高，生长速度快，同时样品托倾斜状的设计提升了磷掺杂金刚石薄膜的均匀性，对金刚石的n型掺杂具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115084224A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210661297.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/34
Abstract: 本发明提出一种垂直结构的NiO/Ga2O3 JFET及其制备方法。该器件结构自下而上依次为漏极金属层、N+型Ga2O3衬底、N‑型Ga2O3漂移层、P型NiO层、栅金属层、Al2O3隔离层、离子注入Si+的高掺杂N+区以及源极金属层。其中，Ga2O3漂移层中刻蚀出鳍型结构，P型NiO层与栅金属层依次位于其两侧。本发明采用Ni/NiO/Ga2O3异质结构形成栅控区域，取代现有的MOS结构器件，易实现增强型，在后续的电路和功率模块应用中有更大的潜力。同时JFET器件为埋沟器件，受界面缺陷影响小，能够提高载流子迁移率与器件响应速度。
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公开(公告)号：CN114744028A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210368423.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/34 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有倾斜角度的氧化镍台面，台面倾斜角度与入射角度正相关。相比于光刻制备氧化镍图案的方法，采用硬掩模制备氧化镍图案工艺简单，成本低，而且可以自由控制氧化镍斜台面倾斜角度的大小，同时斜台面的设计增加了器件的击穿电压，对高耐压、大电流氧化镓功率器件的大规模应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114089667A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111373183.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 南京大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种具有太阳追踪效果、有效防盐沉积的水蒸气产生系统，涉及太阳能技术领域，包括底板、塑料水箱、太阳追踪机构、蒸发机构、收集机构和蓄电机构，所述底板的上表面固定连接有塑料水箱，所述塑料水箱内连接有太阳追踪机构，太阳追踪机构包括底座、旋转舵机、蒸发器安装基座和光敏电阻和单片机，塑料水箱的内下表面设置有底座，底座上安装有旋转舵机，旋转舵机的输出端安装有蒸发器安装基座，蒸发器安装基座的一侧面安装有光敏电阻，蒸发器安装基座的下表面还安装有单片机，所述蒸发器安装基座上连接有蒸发机构，本发明既可以实现太阳能的有效水蒸发，同时还可以防止盐沉积在蒸发器件表面上，防止器件工作效率降低。
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公开(公告)号：CN108374153B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810042756.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105862013B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610439793.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/48
Abstract: 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔热板上预留若干和电炉盘底部相对应的孔洞，隔热板上方外罩的侧面设有能通保护气体的不锈钢管，不锈钢管管可供氮气等保护气通入加热元件上部，对加热元件进行双重保护；本发明可实现小型MOCVD系统的高温加热，并能有效阻止高温情况下氧气等对加热元件造成的氧化和腐蚀影响，大幅提升了加热元件使用寿命，也可以屏蔽限制高温条件下加热元件的各种释放，有利于获得性能优异的沉积薄膜材料。
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公开(公告)号：CN106803478A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611113575.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。
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公开(公告)号：CN105525268A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610059148.1
申请日：2016-01-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/0084 , C23C14/021 , C23C14/0676 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。
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公开(公告)号：CN103383980B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN102828240B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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