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公开(公告)号：CN119433484A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411514815.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , G02B5/08 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种DBR反射镜的制备方法。该方法能够高效转移在金属薄膜上生长的DBR，并制备成低阈值激光器。具体而言，DBR在高温环中生长时，由于金属薄膜的热应力导致自剥离，利用胶带固定剥离的DBR，可以实现二次转移。本发明克服了传统转移技术的局限，利用生长DBR时的高温环境实现自剥离，使得工艺更加简单高效。本发明利用转移好的DBR制备的激光器可以获得更高的性能。
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公开(公告)号：CN119181750A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411679890.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。
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公开(公告)号：CN116914057A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310948096.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/00 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少有利于无损伤剥离柔性GaN基Micro‑LED或HEMT的光电器件结构。
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公开(公告)号：CN120035346A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510201197.3
申请日：2025-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件，其包括自下而上设置的如下结构：n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、ITO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层，在n型GaN层上设有阴极，在电子传输层上设有阴极。本发明提供了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件的制备方法，此Pe‑GaN串联LED可由两个独立电源驱动，相应地，该装置的亮度和颜色能够实现独立控制。通过对两层器件发光进行独立设计与控制，操作简单可控，避免了巨量转移技术，有利于实现低成本的新型全彩显示。
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公开(公告)号：CN119170621A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411689923.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L25/18 , H01L21/8252 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117331238A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311444308.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置及其显示方法，该装置包括空间立体排布的micro‑LED阵列光源和与光源位置相匹配的立体排布的定向散射屏。所述立体排布的micro‑LED阵列光源包括在沿中心垂线轴对称的三维形状上均匀排布的micro‑LED像素。所述立体排布的定向散射屏用于定向投射由micro‑LED阵列显示的视差图像。本发明还提供了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置的显示方法。本发明提出了micro‑LED裸眼3D显示装置与方法，突破了现有裸眼3D显示离散视角的限制，在水平方向上具有360°连续视角，在垂直方向上具有180°连续视角，具有视角范围连续无跳变、清晰度高、亮度高、动态响应快的裸眼3D显示效果。
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公开(公告)号：CN117198209A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311240643.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 南京大学
IPC: G09G3/32 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域，具体包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10、第十一晶体管T11、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3以及第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管。本发明提出了不同Micro‑LED像素点共用同一驱动电路的像素电路，降低了驱动电路所占的面积，从而大幅提高了像素的开口率；通过第一电容C1和第二电容C2来控制电路的像素电流，通过第三电容C3来消除阈值电压漂移，提高像素的显示效果。
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公开(公告)号：CN115083990A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210844935.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移方法，首先制备好常规衬底上的Micro‑LED阵列。之后将光感应胶带与芯片绑定，再将芯片与原衬底进行分离。接着用光照射光感应胶带使其丧失黏性，之后将转移基板对准待转移芯片，进行芯片拾取。在接收基板上蒸镀好驱动电路，并蒸镀低熔点金属焊点。之后将带有芯片的转移基板对准目标衬底，并施加压力使芯片紧密贴合衬底，然后加热使得转移基板上的热释放胶丧失黏性，同时将焊点熔化。最后恢复常温移开转移基板完成芯片的转移。本发明可以将芯片的释放与芯片的焊接同时进行，从而提高了芯片转移的效率，同时可以通过控制转移基板上热释放性胶的图形来转移不同间距不同尺寸的芯片。
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公开(公告)号：CN104868023B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II‑VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II‑VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN119170621B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411689923.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。
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