公开(公告)号：CN119170621A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411689923.2

申请日：2024-11-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/18 ,  H01L21/8252 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。

公开(公告)号：CN119181750A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411679890.3

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。

公开(公告)号：CN120089093A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510490211.6

申请日：2025-04-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  陈聪奕 ,  刘欣悦 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种基于9T2C的Micro‑LED驱动电路及其驱动方法，具体包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、补偿晶体管、第一电容、第二电容以及微发光二极管；本发明通过第一电容来消除阈值电压漂移，通过第二电容实现像素驱动电路的PWM控制，提高像素的显示效果。

公开(公告)号：CN119170621B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411689923.2

申请日：2024-11-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: H10H29/01 ,  H10D84/05 ,  H10H20/85 ,  H10H29/30

Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。

公开(公告)号：CN116364745A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310288997.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  刘斌 ,  陶涛

IPC: H01L27/15 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。

公开(公告)号：CN119967956A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510437285.3

申请日：2025-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  叶佳雯 ,  桑艺萌 ,  刘斌 ,  陶涛

IPC: H10H20/812 ,  H10H20/825 ,  H10H20/815

Abstract: 本发明公开了一种具有量子阱梯度结构的长波长红光LED，自下而上依次包括重掺n型GaN层、n型GaN层、InGaN量子阱层、GaN势垒层、p型GaN层；InGaN量子阱层包括若干个n取值不同的InnGa1‑nN层，0

公开(公告)号：CN119360775A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411910896.7

申请日：2024-12-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  张祎洋 ,  桑艺萌 ,  傅玉祥 ,  刘斌

IPC: G09G3/32 ,  H05B45/325

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED像素驱动电路及其驱动方法，所述驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电容、第二电容以及微发光二极管；本发明提高了显示效果。

公开(公告)号：CN119993043A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510483433.5

申请日：2025-04-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  焦旸 ,  桑艺萌 ,  刘斌

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20

Abstract: 本发明公开了一种电流比例可调的像素驱动电路及其控制方法，驱动电路包括：脉冲宽度调制PWM电路模块、脉冲幅度调制PAM电路模块和电流镜电路模块；PWM电路模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电容；PAM电路模块包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第三电容；电流镜电路模块包括：第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；本发明降低像素驱动电路占用面积，增大透明显示屏透过率，提高分辨率。

公开(公告)号：CN119360775B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411910896.7

申请日：2024-12-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  张祎洋 ,  桑艺萌 ,  傅玉祥 ,  刘斌

IPC: G09G3/32 ,  H05B45/325

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED像素驱动电路及其驱动方法，所述驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电容、第二电容以及微发光二极管；本发明提高了显示效果。

公开(公告)号：CN119181750B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411679890.3

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 庄喆 ,  桑艺萌 ,  陶涛 ,  刘斌

IPC: H10H29/03 ,  H01L21/683

Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。