公开(公告)号：CN106803478A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201611113575.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈琳 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。

公开(公告)号：CN106803478B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201611113575.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈琳 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。

公开(公告)号：CN106757323B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201611103463.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  陈琳 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。

公开(公告)号：CN106757323A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611103463.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  陈琳 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60

Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。