公开(公告)号：CN117293090A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311226797.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H05K1/18 ,  B82Y10/00

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构；基于硬掩模和侧墙结构，刻蚀衬底，以形成第一半导体结构；去除硬掩模，并刻蚀第一半导体结构以及衬底，以形成第一有源结构和第二有源结构；第一有源结构包括与侧墙结构对应的至少两个鳍片；在第一有源结构两端的有源区外延生长第一源极结构或第一漏极结构，以形成第一晶体管，第一晶体管为鳍型场效应晶体管；对衬底进行倒片，并去除衬底，以暴露第二有源结构；在第二有源结构两端的有源区外延生长第二源极结构或第二漏极结构，以形成第二晶体管，第二晶体管为纳米片场效应晶体管或平面晶体管。

公开(公告)号：CN117133719A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310987830.7

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除浅槽隔离的第一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管的第一栅极结构包裹第一有源结构；在第一晶体管的顶部沉积第一绝缘层，并将第一绝缘层与载片晶圆键合；对第一晶体管进行倒片；去除衬底以及浅槽隔离的第二部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管的第二栅极结构包裹第二有源结构。通过本申请，实现了多层堆叠晶体管的自对准，减小工艺深宽比，并简化工艺流程，降低制备难度。

公开(公告)号：CN115763378A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211323483.X

申请日：2022-10-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  毕然

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种非对称应力分布垂直沟道纳米线晶体管的集成方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明分别对源漏材料和沟道材料设计，在沟道中有效地施加单轴应力，通过调节其应力大小和分布实现N/P型器件驱动电流互补。同时，本发明有效提高了P型MOSFET的空穴迁移率和开态电流，垂直纳米线器件在制备工艺中能够实现源漏的分立制备，为器件特性的调节提供更大的灵活性。

公开(公告)号：CN111564499A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010430132.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李小康 ,  涂坤 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用氮化硅和氧化铪双俘获层结构来在单一器件上同时实现短长时程突触可塑性，从而丰富了突触器件的功能；三栅纳米线结构有利于增强界面电场，从而降低了界面处FN隧穿宽度，增强了界面处隧穿几率，降低了操作电压和器件功耗。另外，器件具有完全的CMOS材料以及工艺兼容性，这些优良的器件特性使得其有潜力应用到未来大规模神经网络计算系统中。

公开(公告)号：CN111564489A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010430790.2

申请日：2020-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李小康 ,  于博成 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种纳米线离子栅控突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明结合了围栅纳米线良好的一维输运特性和离子栅控双电层体系中低操作电压的优势，与现有的基于二维材料或者有机材料的平面大尺寸突触晶体管相比，能够实现更低的功耗和更小的面积开销。另外，其优良的器件一致性和CMOS后端集成特性，使得其有潜力运用到未来大规模神经形态计算电路中。

公开(公告)号：CN106898643B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201710156417.0

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。

公开(公告)号：CN104282575B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410502998.5

申请日：2014-09-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  杨远程 ,  宣浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，属于大规模集成电路制造技术领域。该方法的核心是在SOI衬底上外延生长制备纳米尺度场效应晶体管，本发明利用外延工艺可以精确控制纳米尺度器件沟道的材料、形貌，进一步优化器件性能；其次，通过实现不同的沟道掺杂类型和掺杂浓度，可以灵活的调整阈值电压以适应不同IC设计的需要；且可以获得高度方向上宽度一致的栅结构，减小器件的寄生和涨落，同时又能够很好的与CMOS后栅工艺兼容，流程简单，成本较低，可应用于未来大规模半导体器件集成中。

公开(公告)号：CN104037159B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410275700.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  宣浩然 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31055 ,  H01L29/045 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。本发明的优点：最终形成的多层超细硅线条的位置与截面形状均匀、可控；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，可在同一硅片上实现不同直径的硅线条；ICPECVD具有较强的窄槽填充能力，淀积牺牲层和腐蚀掩蔽层材料时无空洞；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用自上而下的加工方法，完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。

公开(公告)号：CN106298936A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610676889.4

申请日：2016-08-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明提供一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明由于采用倒梯形栅结构，其栅控能力位于三栅和围栅之间，使得倒梯形顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺制备抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106290525A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610630848.1

申请日：2016-08-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  黄如

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4146

Abstract: 本发明公开了一种带正面栅极调控的纳米线生物传感器件及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器件包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子特异性地与纳米线沟道表面的-OH基团成键，对于修饰窗口内其他无-OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；正面栅电极的引入，施加适当的偏置电压，使得纳米线沟道处于亚阈区，灵敏度最高，信号强度最大；完全与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。