公开(公告)号：CN111564499A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010430132.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李小康 ,  涂坤 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用氮化硅和氧化铪双俘获层结构来在单一器件上同时实现短长时程突触可塑性，从而丰富了突触器件的功能；三栅纳米线结构有利于增强界面电场，从而降低了界面处FN隧穿宽度，增强了界面处隧穿几率，降低了操作电压和器件功耗。另外，器件具有完全的CMOS材料以及工艺兼容性，这些优良的器件特性使得其有潜力应用到未来大规模神经网络计算系统中。

公开(公告)号：CN113013257A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110205069.8

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李小康 ,  涂坤 ,  黄如

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。所述无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管采用氮化硅和氧化铪双俘获层的设计，使得该电荷俘获型突触器件既可以模拟长时程的突触可塑性，又可以模拟短时程的突触可塑性，从而极大地丰富了突触晶体管的功能。此外通过改变编程方式，即通过一次编程，而后改变电荷俘获位置而不是电荷俘获量的方式，以及无隧穿氧化层和高k/金属栅组合，降低突触器件的操作电压。这种具备低压操作优势和可以模拟多功能突触可塑性的基于电荷俘获机制的突触晶体管有望应用到未来大规模人工神经网络中。

公开(公告)号：CN111564499B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010430132.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李小康 ,  涂坤 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用氮化硅和氧化铪双俘获层结构来在单一器件上同时实现短长时程突触可塑性，从而丰富了突触器件的功能；三栅纳米线结构有利于增强界面电场，从而降低了界面处FN隧穿宽度，增强了界面处隧穿几率，降低了操作电压和器件功耗。另外，器件具有完全的CMOS材料以及工艺兼容性，这些优良的器件特性使得其有潜力应用到未来大规模神经网络计算系统中。