公开(公告)号：CN101303537A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810096908.1

申请日：2008-05-07

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 ,  塙广二 ,  安德鲁·阮 ,  沙希·拉夫 ,  阿吉特·巴拉克里什纳 ,  瓦伦丁·N·托铎洛 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  马丁·杰弗里·萨利纳斯 ,  伊马德·优素福 ,  沃尔特·R·梅丽 ,  英·鲁 ,  迈克尔·R·赖斯

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/42

CPC classification number: B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供了一种用于从工件后侧移除聚合物和/或从工件前侧移除光刻胶的工艺。对于后侧聚合物移除，晶圆位于顶部附近和具有贯穿腔室侧壁的侧面出口的局部或远程等离子体源之上，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆后侧来移除后侧聚合物。对于前侧光刻胶移除，晶圆位于远离顶部和局部等离子体源的侧面出口之下，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆前侧来移除前侧光刻胶。

公开(公告)号：CN100342488C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410071262.3

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1848407A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073921.6

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

公开(公告)号：CN1782142A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510125396.3

申请日：2005-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  吉本晋 ,  松叶聪

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。

公开(公告)号：CN1737192A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092826.6

申请日：2005-08-22

Applicant: JDS尤尼弗思公司

Inventor： 理查德·I.·塞登 ,  马库斯·K.·帝尔什 ,  杰里米·贺氏

IPC: C23C14/50 ,  C23C16/00

CPC classification number: C30B31/14 ,  C23C14/505 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  H01F7/0252 ,  H01F7/04 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明涉及一种用于在行星式旋转平台上固定衬底的磁锁闩，所述行星式旋转平台悬挂在汽相淀积系统，如化学汽相淀积(CVD)系统或物理汽相淀积(PVD)系统的真空腔中的涂料源之上。所述磁锁闩包括永磁体，所述永磁体可在锁定位置与解锁位置之间移动，所述永磁体在所述锁定位置将所述锁闩磁化以吸引衬底托架，所述永磁体在所述解锁位置连接在旁路中，从而将所述锁闩消磁以释放所述衬底托架。

公开(公告)号：CN1613129A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826877.6

申请日：2002-11-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： B·拉戈斯

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6875 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49165

Abstract: 本发明提供了这样的系统与设备，通过该设备提供工件垫板以支承要在转动的或自旋的分批注入器处理盘中进行注入的工件。此工件垫板提供减小了的表面粘合力并能有效地将热从工件传到处理盘上。还减少了颗粒的产生和来自工件垫板对工件的污染。工件垫板还包括一微结构的有序阵列。此外，本发明也包括形成包括微结构的有序阵列工件垫板的方法。

公开(公告)号：CN1607467A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410092383.6

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1595599A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410009225.X

申请日：2004-06-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 汪劲松 ,  朱煜 ,  于晖 ,  曹家勇 ,  尹文生 ,  段广洪 ,  陈涛

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20278 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68

Abstract: 一种离子注入机中靶盘角度控制与扫描运动机构，属于半导体设备技术领域。本发明提供了一种离子注入机中靶盘角度控制与扫描运动机构，其特征在于：所述角度控制与扫描运动机构为PR－PRR型双支链2自由度平面并联机构，包括靶盘、第一支链和第二支链。本发明解决了现有串联型靶盘角度控制与扫描机构的刚度低、与腔室连接的底层构件负荷过大等问题，同时，有利于将靶盘扫描运动机构的驱动电动机布置于注入腔室的外部，克服了驱动电动机布置于腔室内部而带来的对注入腔室环境的不利影响。

公开(公告)号：CN1555085A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410071265.7

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1555083A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410071262.3

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。