-
公开(公告)号：CN108345181B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201810271724.8
申请日：2018-03-29
申请人： 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种具有二级防撞保护结构的硅片台双台交换系统，主要应用于半导体光刻设备中。在硅片台双台交换系统中不仅设有气囊装置，在每个硅片台上均配备一套用来保护其内部部件免受碰撞和损害的缓冲装置，共同构成了硅片台的双重安全防撞系统，该双重防撞保护系统具有防撞效果好，质量轻且结构紧凑，避免了硅片台体积过大而造成的行程减小的缺点，以及便于在碰撞发生后迅速恢复等特点；与现有技术相比，大大提高了对硅片台内部结构的安全防护能力，大大减少了碰撞对硅片台零部件造成的损伤。
-
公开(公告)号：CN117438357A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311213446.8
申请日：2023-09-19
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及精密仪器技术领域，尤其涉及一种多级运动装置及其位置检测方法，多级运动装置包括自上而下依次设置层叠的第一框架、一级运动台和二级运动台，二级运动台与一级运动台连接，以驱动一级运动台移动，第一框架设有第一位移检测组件，第一位移检测组件适于检测一级运动台的位移，以获得一级运动台相对于第一框架的位置，一级运动台与二级运动台中的至少一个设有第二位移检测组件，第二位移检测组件适于检测二级运动台的位移，以获得二级运动台相对于一级运动台的位置；第一位移检测组件采用纳米、亚纳米级精度传感器，第二位移检测组件采用微米级精度传感器。实现多级运动台的位置解算，满足多级运动装置的位置检测和控制。
-
公开(公告)号：CN108106536B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201711116885.1
申请日：2017-11-13
申请人： 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
IPC分类号： G01B11/02 , G01B9/02015 , G01D5/26 , G01D5/38
摘要： 一种平面光栅干涉仪位移测量系统，包括单频激光器、分束器、声光调制器、光栅干涉仪、平面光栅、接收器、电子信号处理部件、光纤耦合器和频率合成器；光栅干涉仪包括偏振分光镜、折光元件，直角棱镜和四分之一波片；该测量系统基于光栅衍射、光学多普勒效应和光学拍频原理实现位移测量。当光栅干涉仪与平面光栅做二自由度线性相对运动时，系统可输出二个线性位移。该测量系统能够实现亚纳米甚至更高分辨率及精度，且能够同时测量二个线性位移；该测量系统具有测量精度高、结构简单优点，作为光刻机超精密工件台位置测量系统可提升工件台综合性能。
-
公开(公告)号：CN116518836A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310307986.6
申请日：2023-03-24
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种永磁同步直线电机位移测量方法、装置、计算机和介质，该方法包括在永磁同步直线电机的动子在位移过程中，获取多个磁传感器检测到的永磁同步直线电机的定子产生的磁场强度为第一磁场强度，获取位移传感器测量到的永磁同步直线电机的动子的位移距离为第一位移距离，建立磁场强度与位移距离的映射关系；获取永磁同步直线电机的定子的第二磁场强度；基于第二磁场强度和映射关系，计算得到永磁同步直线电机的动子的第二位移距离。以采集到的磁场强度和动子的位移距离为基准建立磁场强度与位移距离的映射关系，无需建立磁场强度分布数学解析模型，避免了磁场模型不准确导致的位移计算误差，提高位移解算速度与精度。
-
公开(公告)号：CN116184548A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310133661.0
申请日：2023-02-10
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种干涉条纹相位的调节锁定装置及方法，涉及微纳结构加工领域；所述干涉条纹相位的调节锁定装置，用于调节锁定曝光基底6上干涉条纹的相位，所述调节锁定装置包括激光器1、分束光栅2、第一平面反射镜3、第一针孔光阑4、第一准直镜5、曝光基底6、测量光栅7、光电探测器8、第二准直镜9、第二针孔光阑10、第二平面反射镜11、控制器12、直角棱镜13、压电陶瓷14；本发明装置可对干涉条纹相位变化进行实时监测与调节，从而实现条纹的相位锁定，保证全息光栅的槽型与精度，对于大尺寸高精度全息光栅的制造工艺具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN115857079A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211468017.0
申请日：2022-11-22
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明实施例提供了一种平面光栅的制造方法及平面光栅，解决了制备大尺寸硅基平面光栅难的问题。所述平面光栅的制造方法包括：制备光栅衬底；在所述光栅衬底上依次形成硬掩模层、抗反射层和光刻胶层；其中，所述光刻胶层包括多个子区域；对所述光刻胶层的第一子区域进行曝光，对与所述第一子区域相邻的所述子区域进行拼接曝光，其中相邻的所述子区域拼接处的图形形貌特征及指标工艺性能和非拼接处一致；重复拼接曝光工艺直至完成所有子区域的曝光；曝光后的所述光刻胶层包括多个曝光区域和多个未曝光区域；对所述光刻胶层进行负显影工艺，去除所述未曝光区域的光刻胶，以形成平面光栅。
-
公开(公告)号：CN114002918A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111185745.6
申请日：2021-10-12
申请人： 清华大学
摘要： 本申请公开了一种扫描干涉光刻曝光剂量的测算方法、装置、测算设备及介质，根据在曝光处的辐射束的第一测量数据，并获取所述曝光处的干涉场的第二测量数据，计算模型提前根据获取的第一测量数据和第二测量数据建立，基于所述第一测量数据、所述第二测量数据和计算模型计算所述曝光处的曝光剂量，提高了曝光剂量的测算准确度。
-
公开(公告)号：CN114001218A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111061400.X
申请日：2021-09-10
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种管连接构件以及真空腔体的水馈入装置，其中的管连接构件包括：第一连接件、第二连接件，以及设置在第一连接件和第二连接件之间的限位结构；其中，在第一预设条件下，第二连接件插入第一连接件的内部，限位结构套设在第一连接件与第二连接件相重叠部分的外侧；在第二预设条件下，第二连接件膨胀并与第一连接件进行密封连接，第一连接件和第二连接件密封限位在限位结构内。利用上述本发明能够实现两连接件的高密封性连接，且无需预留工具的操作空间，连接和拆卸方便。
-
公开(公告)号：CN112003501B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010705724.1
申请日：2020-07-21
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种干扰磁场下电机正弦误差的出力补偿方法及装置，其中的方法包括：采集电机在匀速阶段的控制信号以及位移信号；基于控制信号和位移信号创建空间域正余弦信号，并将正余弦信号转换为对应的时域信号；根据时域信号创建补偿矩阵；根据补偿矩阵确定与补偿矩阵对应的补偿信号；将补偿信号叠加至控制信号内，以对电机进行位移误差补偿。利用上述发明能够提高对电机的跟踪精度，并对电机的出力进行有效补偿，以提高电机的运动控制性能。
-
公开(公告)号：CN112212783B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010995825.7
申请日：2020-09-21
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种基于动态响应时间测量法的鉴相系统及方法，其中的系统包括前端信号预处理模块以及与前端信号预处理模块连接的相位测量模块；其中，前端信号预处理模块包括相连接的光电探测器和方波整形单元，光电探测器用于接收待检测信号，并将所接收的待检测信号转化为电信号，方波整形单元用于将电信号转换为幅值固定的方波信号，并传输至相位测量模块；相位测量模块用于对方波信号进行分析处理，以获取待检测信号的相位变化信息。利用上述发明能够扩大检测信号的频率范围，且测量分辨率高，适用于精密和超精密测量领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
510 条记录 (耗时 0.039 秒)
