公开(公告)号：CN102907181A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025294.8

申请日：2011-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  布赖恩·廖 ,  塞吉奥·秀吉 ,  达·D·源 ,  汉密第·诺巴卡施 ,  大卫·帕拉加斯维勒

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: G05D23/19 ,  G05B15/02 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。

公开(公告)号：CN102760671A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210125500.9

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山贺健一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: 本发明涉及一种温度测量用基板以及热处理装置，对被处理基板(W)实施热处理的热处理装置(2)中所使用的温度测量用基板(50)具备：基板主体(62)；振动器(64)，其具有压电元件(68)，并且设置在基板主体中；以及天线部(66)，其与振动器连接，并且设置在基板主体的周边部侧。由此，抑制从振动器发出的电波的衰减。

公开(公告)号：CN102737988A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093660.X

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井弘治 ,  山口达也 ,  王文凌 ,  斋藤孝规

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备：对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处理容器之间设置外部温度传感器(50)，在处理容器内设置内侧温度传感器(81)及内部轮廓温度传感器(82)，在舟皿设置轮廓温度传感器(83)。这些温度传感器与温度预测部(51A)连接，温度预测部选择任意两个温度传感器，如内侧温度传感器及轮廓温度传感器，在将来自所选的温度传感器的检测温度设为T1、T2时，根据T＝T1×(1-α)+T2×α、α＞1求出晶片温度T。

公开(公告)号：CN101814449B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010125922.7

申请日：2010-02-25

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·布伦宁格 ,  K·格林德尔

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67259

Abstract: 本发明涉及在利用红外发射器加热的对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片的错误位置的方法，其中半导体晶片位于旋转的基座的圆形凹槽内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片的位置错误。在此，高温计的取向使得由高温计检测的测量斑部分地位于半导体晶片上并且部分地位于半导体晶片以外的基座上。以此方式可以鉴别半导体晶片在基座的凹槽内的偏心位置。

公开(公告)号：CN102692938A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210066539.8

申请日：2012-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田政隆

IPC: G05D23/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: G05D23/1919 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种能够降低使用于检查装置中的冷却装置的消耗能量的冷却装置的运转方法以及检查装置。本发明的冷却装置的运转方法是以下方法：在能够通过冷却装置(13)和加热装置(14)进行温度调节的晶圆卡盘(11)上载置半导体晶圆(W)，在控制装置(15)的控制下进行半导体晶圆(W)的低温检查以及半导体晶圆(W)的高温检查时，在控制装置(15)的控制下控制对晶圆卡盘(11)进行冷却的冷却装置，在进行低温检查时通过控制装置(15)使冷却装置(13)连续地运转，在进行高温检查时，通过控制装置(15)使冷却装置(13)至少与高温检查的开始相应地停止一次。

公开(公告)号：CN102598212A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004405.7

申请日：2011-09-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤义信

IPC: H01L21/02 ,  G01K1/14 ,  H05B3/20 ,  H05B3/74

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G01K7/02 ,  G01K13/00 ,  G01K13/10 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置部件。陶瓷加热器(10)具备：具有晶片载置面的圆盘状的陶瓷板(20)；以及与该陶瓷板(20)的晶片载置面相反侧的面接合的空心状的轴(40)。在陶瓷板(20)的内部，形成从陶瓷板(20)的中央侧朝向外周面延伸的热电偶通路(26)。在陶瓷板(20)的背面，安装有管形状的热电偶导向件(32)。热电偶导向件(32)的导向孔(32a)与热电偶通路(26)中陶瓷板(20)的中央侧连通，并相对于热电偶通路(26)的延伸方向倾斜地设置。

公开(公告)号：CN102593036A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210069433.3

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN101911248B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880124293.7

申请日：2008-12-15

Applicant: 株式会社小松制作所

Inventor： 板东贤一 ,  佐佐木淳

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H05B3/68

CPC classification number: H05B3/143 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种基板温度控制装置用载置台，相比以往能够减少对基板进行加热或冷却时产生的过渡性温度分布的扩展。该基板温度控制装置用载置台是在控制基板温度的基板温度控制装置中用于将具有规定直径的基板载置于规定位置的载置台，包括：板片，其在与基板对置的第一面中包括与基板的端缘对应的位置的区域形成有低于中心部的台阶部；调温部，其配置在板片的与第一面相反侧的第二面。

公开(公告)号：CN102456596A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110319007.6

申请日：2011-10-18

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 杉浦忍 ,  上野正昭 ,  田中和夫 ,  杉下雅士 ,  山口英人 ,  白子贤治

IPC: H01L21/67 ,  G05D23/22

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  G05D23/1931 ,  G05D23/22 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置。能够抑制利用温度传感器控制热处理时的不良情况。衬底处理装置具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其利用第一热电偶对衬底的附近的温度进行检测；第二温度检测机构，其利用第二热电偶对加热机构的附近的温度进行检测；第一控制机构，其根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对加热机构进行控制；控制切换机构，其以控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换的方式，根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对控制机构进行控制，第一热电偶的耐热性比第二热电偶的耐热性大，第二热电偶的温度检测性能比第一热电偶的温度检测性能高。

公开(公告)号：CN102362332A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013248.1

申请日：2010-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小松智仁

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H05B3/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H05B3/22 ,  H05B2203/037

Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内对被处理体(W)实施热处理而载置被处理体，且对所载置的被处理体进行加热的载置台结构(60)。在用于对载置台主体(62)的最外周的加热区域(96)进行加热的最外周电阻加热器(100)的周方向的不同的多个位置，连接有最外周供电线(L1～L4)，由此将最外周电阻加热器(100)划分为多个加热器区域(100A～100D)。加热器控制部(92)能够单独地控制各最外周供电线的电状态(例如，电压施加状态、零电位状态、浮置状态)。能够通过简单的结构使每个加热器分区的电力供给状态变化。