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公开(公告)号：CN114144894A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052839.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L23/532
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN107430461B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680016156.6
申请日：2016-03-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/044 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种厚度薄的触摸屏。另外，提供一种可见度高的触摸屏。另外，提供一种轻量的触摸屏。另外，提供一种低功耗的触摸屏。包括在电容式的触摸传感器的一对导电层具有包括多个开口的网状的形状。并且，包括在触摸传感器的一对导电层配置在触摸屏所包括的一对衬底之间，且在该一对导电层与驱动显示元件的电路之间设置能够供应固定电位的具有透光性的导电层。
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公开(公告)号：CN113631934A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024141.0
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , H02J7/00 , G01R31/3835
Abstract: 提供一种功耗得到降低的半导体装置。该半导体装置使用三个晶体管切换两个节点的电位来检测电压。第一晶体管的源极和漏极中的一方与第一端子电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一方通过第一节点与比较器的非反转输入电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一方与第二端子电连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一方通过第二节点与第三晶体管的源极和漏极中的一方电连接，第三晶体管的源极和漏极中的另一方与第三端子电连接，第一电容器设置在第一节点与第二节点间，比较器的反转输入与第四端子电连接，比较器的输出与第五端子电连接。
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公开(公告)号：CN113571588A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110854378.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN113540130A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110822972.9
申请日：2015-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
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公开(公告)号：CN113423857A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014352.6
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/08 , C01G15/00 , C01G19/00 , G01N23/20058 , G01N23/2055 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 提供一种电特性高的金属氧化物膜。提供一种可靠性高的金属氧化物膜。金属氧化物膜包含铟、M(M是铝、镓、钇或锡)及锌。在根据从垂直于金属氧化物膜的膜面的方向照射电子束的电子衍射决定的面间隔d的分布中，金属氧化物膜具有第一峰以及第二峰。第一峰的顶点位于0.25nm以上且0.30nm以下的范围内，第二峰的顶点位于0.15nm以上且0.20nm以下的范围内。该面间隔d的分布是利用金属氧化物膜的多个区域中的多个电子衍射图案而得到的。电子衍射通过使用电子束径为0.3nm以上且10nm以下的电子束进行。
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公开(公告)号：CN113419386A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110639939.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L27/32
Abstract: 本公开涉及显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法。本发明提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。或者，提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。或者，提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。该显示面板包括像素及与像素电路电连接的端子，该像素包括：第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜的第一开口部中的第一接触部；与第一接触部电连接的像素电路；与像素电路电连接的第二接触部；与第一接触部电连接的第一显示元件；以及与第二接触部电连接的第二显示元件。第一绝缘膜具有夹在第一显示元件与第二显示元件之间的区域，端子具有其上能够被用作制作与其它部件的接触部的面。
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公开(公告)号：CN113412438A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013202.3
申请日：2020-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种长寿命的发光器件。发光装置包括第一发光器件和第一颜色转换层。第一颜色转换层包含第一物质。第一发光器件的EL层从阳极侧依次包括第一层、第二层、第三层、发光层和第四层。第一层包含第一有机化合物和第二有机化合物。第二层包含第三有机化合物。第三层包含第四有机化合物。发光层包含第五有机化合物和第六有机化合物。第四层包含第七有机化合物。第一有机化合物是对第二有机化合物呈现电子接受性的有机化合物。第五有机化合物是发光中心物质。第二有机化合物的HOMO能级为‑5.7eV以上且‑5.4eV以下。
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公开(公告)号：CN113330554A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089912.1
申请日：2019-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , G11C11/405
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。在驱动电路层上层叠N个(N是2以上的自然数)包括配置为矩阵状的多个存储单元的存储层。存储单元包括两个晶体管以及一个电容器。将氧化物半导体用于构成晶体管的半导体。存储单元与写入字线、选择线、电容线、写入位线及读出位线电连接。通过将写入位线及读出位线延伸在层叠方向上，缩短存储单元与驱动电路层之间的信号传输距离。
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