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公开(公告)号：CN118235191A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075633.1
申请日：2022-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。
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公开(公告)号：CN116438634A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180071444.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/318
Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域，金属氮化物膜具有铁电性，金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮，第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素，第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素，第一导电体和第二导电体都包含氮，第一绝缘体包含铝及氧，并且，第二绝缘体包含硅及氮。
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公开(公告)号：CN112673479A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980058033.2
申请日：2019-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，其包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第一导电体、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体，其中，第二导电体包括第一区域及第二区域，第三导电体包括第三区域及第四区域，第二区域位于第一区域的上方，第四区域位于第三区域的上方，第二导电体及第三导电体都包含钽及氮，第一区域的相对于钽的氮的原子数比高于第二区域的相对于钽的氮的原子数比，并且，第三区域的相对于钽的氮的原子数比高于第四区域的相对于钽的氮的原子数比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115136324A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015660.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物及其形成方法。金属氧化物包括第一结晶、第二结晶以及位于第一结晶与第二结晶之间的区域。此外，第一结晶的c轴与第二结晶的c轴大致平行。此外，区域的结晶性低于第一结晶及第二结晶的结晶性。此外，在与第一结晶的c轴垂直的方向上的区域的宽度大于0nm且小于1.5。此外，第一结晶及第二结晶具有层状结晶结构。
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公开(公告)号：CN113423857A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014352.6
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/08 , C01G15/00 , C01G19/00 , G01N23/20058 , G01N23/2055 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 提供一种电特性高的金属氧化物膜。提供一种可靠性高的金属氧化物膜。金属氧化物膜包含铟、M(M是铝、镓、钇或锡)及锌。在根据从垂直于金属氧化物膜的膜面的方向照射电子束的电子衍射决定的面间隔d的分布中，金属氧化物膜具有第一峰以及第二峰。第一峰的顶点位于0.25nm以上且0.30nm以下的范围内，第二峰的顶点位于0.15nm以上且0.20nm以下的范围内。该面间隔d的分布是利用金属氧化物膜的多个区域中的多个电子衍射图案而得到的。电子衍射通过使用电子束径为0.3nm以上且10nm以下的电子束进行。
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公开(公告)号：CN106977550A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611027297.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 以下述通式（G1）表示的有机金属配合物，包括铱及配体，配体包含包括两个以上的氮原子的五元环芳族杂环、以及与五元环芳族杂环键合的多个芳基，多个芳基中的至少一个包含五氟硫基作为取代基。式中，P1和P2中的一个表示氮且另一个表示碳，或者二者都表示碳。Q1表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至8的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个，Q2表示氢和取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基中的任一个。Ar1和Ar2分别独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个。Q1、Ar1和Ar2中的任一个包含五氟硫基。
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公开(公告)号：CN104641484B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380048942.0
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D487/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L2251/552 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种将对发光层的空穴注入性提高的发射磷光并且具有高发光效率的发光元件。该发光元件的发光层包含以下面通式(G1)表示的第一有机化合物和为磷光化合物的第二有机化合物。第一有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级之间的差低于或等于0.3eV。
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公开(公告)号：CN104641484A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048942.0
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D487/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L2251/552 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种将对发光层的空穴注入性提高的发射磷光并且具有高发光效率的发光元件。该发光元件的发光层包含以下面通式(G1)表示的第一有机化合物和为磷光化合物的第二有机化合物。第一有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级之间的差低于或等于0.3eV。
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