公开(公告)号：CN119343722A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380046214.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  松崎隆德 ,  大贯达也 ,  滨田俊树

IPC: G11C7/10 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。第一电路通过第一布线与第二电路电连接，第一电路通过第三布线及第四布线与第四电路电连接，第二电路通过第五布线与第三电路电连接，第一电路具有使第一布线、第二布线、第三布线与第四布线的彼此之间处于导通状态或非导通状态的功能，第三电路具有保持对应于第一数据的电位的功能，第二电路具有将对应于第一数据的电位从第一布线供应到第五布线的功能、保持对应于第二数据的电位的功能以及放大第五布线的电位的变化而将其输出到第一布线的功能，第四电路具有根据第三布线与第四布线之间的电位差输出对应于第一数据或第二数据的电位的功能。

公开(公告)号：CN118318309A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078800.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  斋藤晓 ,  国武宽司 ,  山崎舜平 ,  和久田真弘 ,  滨田俊树

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/428 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B45/60 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10K50/00 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：金属氧化物；金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；在金属氧化物上且位于第一导电体与第二导电体间的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；第三绝缘体上的第三导电体；位于第一导电体与第一绝缘体间的第四绝缘体；以及位于第二导电体与第一绝缘体间的第五绝缘体。第一绝缘体接触于金属氧化物的顶面及侧面且与第二绝缘体相比不容易透过氧。第一导电体、第二导电体、第四绝缘体及第五绝缘体包含相同金属元素。在沟道长度方向的截面中，从第一导电体到第一绝缘体的距离为第一绝缘体的膜厚度以上且从第三导电体到金属氧化物的距离以下。

公开(公告)号：CN104641484B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380048942.0

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中山智则 ,  高须贵子 ,  下垣智子 ,  尾坂晴惠 ,  滨田俊树

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D487/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5016 ,  H01L2251/552 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种将对发光层的空穴注入性提高的发射磷光并且具有高发光效率的发光元件。该发光元件的发光层包含以下面通式(G1)表示的第一有机化合物和为磷光化合物的第二有机化合物。第一有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级之间的差低于或等于0.3eV。

公开(公告)号：CN104641484A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048942.0

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中山智则 ,  高须贵子 ,  下垣智子 ,  尾坂晴惠 ,  滨田俊树

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D487/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5016 ,  H01L2251/552 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种将对发光层的空穴注入性提高的发射磷光并且具有高发光效率的发光元件。该发光元件的发光层包含以下面通式(G1)表示的第一有机化合物和为磷光化合物的第二有机化合物。第一有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级之间的差低于或等于0.3eV。