公开(公告)号：CN118318309A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078800.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  斋藤晓 ,  国武宽司 ,  山崎舜平 ,  和久田真弘 ,  滨田俊树

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/428 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B45/60 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10K50/00 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：金属氧化物；金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；在金属氧化物上且位于第一导电体与第二导电体间的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；第三绝缘体上的第三导电体；位于第一导电体与第一绝缘体间的第四绝缘体；以及位于第二导电体与第一绝缘体间的第五绝缘体。第一绝缘体接触于金属氧化物的顶面及侧面且与第二绝缘体相比不容易透过氧。第一导电体、第二导电体、第四绝缘体及第五绝缘体包含相同金属元素。在沟道长度方向的截面中，从第一导电体到第一绝缘体的距离为第一绝缘体的膜厚度以上且从第三导电体到金属氧化物的距离以下。