公开(公告)号：CN1458665B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN03123823.8

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L2221/68368 ,  Y10T428/14

Abstract: 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法本发明的目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。

公开(公告)号：CN102184891A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110062354.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  石川明 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  馆村祐子

IPC: H01L21/77 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。

公开(公告)号：CN101615593B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910161414.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L31/18 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN1525393B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200410007026.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  石川明 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  馆村祐子

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法。用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。

公开(公告)号：CN101615592B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910161413.7

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN101202300B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN100578534C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200310123564.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/105 ,  G06Q20/3415 ,  G07F7/1008 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm-1mm的范围内。

公开(公告)号：CN101615592A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910161413.7

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN100576533C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710186679.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  田中幸一郎

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体装置，包括：内插板；设在所述内插板上的布线；包括在所述内插板之上的第一半导体器件、第一焊垫和第一焊锡球的第一芯片，所述第一半导体器件电连接到所述第一焊垫，而所述第一焊垫电连接到所述第一焊锡球；包括在所述第一芯片之上的第二半导体器件、第二焊垫和第二焊锡球的第二芯片，所述第二半导体器件电连接到所述第二焊垫，而所述第二焊垫电连接到所述第二焊锡球；以及设在所述内插板尾侧的终端；其中所述布线和所述第一芯片经由所述第一焊锡球电连接；其中所述第一芯片和所述第二芯片经由所述第二焊锡球电连接；以及其中所述终端电连接到所述第一半导体器件。

公开(公告)号：CN100565904C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200510124760.4

申请日：2002-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山纯矢 ,  小仓庆一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一可靠性高的发光器件，其中有机发光器件不因氧化、潮湿等而退化。该有机发光器件在真空中用包装膜(105)压合，该包装膜被一个含有Ar的DLC膜覆盖(或者一个氮化硅膜、一个AlN膜、一个表示为ALNxOy的化合物组成的膜)(106)。有机发光器件如此与外界完全隔离，可在整个有机发光器件上有效地防止加速有机发光器件老化的潮湿、氧化或者其它外部物质。