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公开(公告)号：CN110021521B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201811447838.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
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公开(公告)号：CN111129046A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911054417.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN110943099A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910903981.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 图像传感器器件具有设置在衬底中的第一数量的第一像素和设置在衬底中的第二数量的第二像素。第一数量基本上等于第二数量。光阻挡结构设置在第一像素和第二像素上方。光阻挡结构限定多个第一开口和第二开口，光可以穿过第一开口和第二开口。第一开口设置在第一像素上方。第二开口设置在第二像素上方。第二开口小于第一开口。微控制器配置为在不同的时间点导通不同的第二像素。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的操作方法。
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公开(公告)号：CN109841639A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810141602.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供图像传感装置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区。方法包括分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中。第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构位于正面上，光传感结构与第二源极/漏极结构形成于基板中且分别位于第一栅极结构的两侧，第一源极/漏极结构形成于基板中，且第一源极/漏极结构电性连接至第二源极/漏极结构。方法包括形成光阻挡层于背面上。
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公开(公告)号：CN109585470A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810826083.8
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有改进的量子效率的半导体图像传感器。半导体图像传感器包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体层。互连结构设置在半导体层的第一表面上，并且多个辐射感测区域形成在半导体层中。辐射感测区域被配置为感测从第二表面进入半导体层的辐射，并且多个槽结构形成在半导体层的第二表面上。本发明的实施例还涉及具有改进的量子效率表面结构的图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282699B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201310488456.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0056 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明的光导栅格可包括具有多条交叉栅格线的栅格结构和用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口，其中，每条栅格线具有宽度w。栅格结构具有多个开口中的在对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度。对角栅格宽度的值大于约√3w。图像传感器可包括具有上述栅格结构的光导栅格，还包括微透镜（如下沉微透镜）和滤色器。一种制造光导栅格的方法可包括在至少一个光传感器上方形成栅格，其中，栅格具有宽度为w以及对角方向上的对角栅格宽度的值大于约√3w的交叉栅格线。本发明还公开了制造光导栅格的装置和方法。
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公开(公告)号：CN104051486B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410087676.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封环是沟槽结构或填充的沟槽结构。通过弯曲的弧线或多条以不同的角度连接在一起的线段形成圆形的角结。包括一个或多个封闭的多边形的角结包括多边形，该多边形的至少一条多边形边由密封环边中的一条形成。
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公开(公告)号：CN106158891A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510765521.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。
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公开(公告)号：CN105742376A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510769977.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L27/14812 , H01L2224/24147 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/92 , H01L2224/9212 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/821 , H01L31/02019
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括第一衬底、第二衬底、多个通孔(TV)和多个导电帽。第一衬底具有设置在其上的至少一个电组件。第二衬底堆叠在第一衬底上。TV延伸穿过第二衬底以电连接至第一衬底的至少一个电组件。导电帽分别覆盖TV，以及导电帽彼此电隔离。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105280652A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410723334.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬底的辐射。多个阻光结构设置在衬底的第二侧上方。钝化层涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上。多个间隔件设置在钝化层的涂覆在阻光结构侧壁上的部分上。
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