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公开(公告)号：CN205595365U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620277105.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44
Abstract: 本实用新型公开一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。本实用新型可以降低发光二极管芯片的表面光反射，提升二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN209912888U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201821312794.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一倒装发光芯片，其包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209709010U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201821866707.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸触角，所述N型电极延伸触角和所述P型电极延伸触角相互对应，以便于扩展电流，从而使得电流密度更均匀，进而提高所述半导体芯片的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209691783U
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201920009780.4
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开了一发光芯片，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209471992U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920191147.1
申请日：2019-02-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209471991U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920036329.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开了一正装半导体发光器件，其包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部，其中所述电极组一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的N型电极焊盘形成于所述第二端部，所述N型电极的N型电极扩展部自所述N型电极焊盘向所述第一端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元，其中所述P型电极的P型电极焊盘形成于所述第一端部，所述P型电极的P型电极扩展部自所述P型电极焊盘向所述第二端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，以在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层。
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公开(公告)号：CN208596701U
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201820743497.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管及其芯片，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞，一P型电极的一部分在穿过这些所述孔洞后被电连接于所述透明导电层，一N型电极被电连接于所述N型半导体层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205645877U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620337327.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/54
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。本实用新型通过电流扩展层上表面呈凹凸形状的PV层，使PV层的等效折射率发生渐变，从而增强表面多角度的透射率，使更多的光能够出射，增加LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN205645856U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282725.9
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种正装GaN LED芯片，涉及发光二极管LED的生产技术领域。在衬底的同一侧依次各外延层和透明导电层、电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。在同样尺寸的芯片下，本实用新型能有效地增加的发光面积，减少同驱动电流下的电流密度，减少droop效应，从而达到降低电压，提升亮度的目的。
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公开(公告)号：CN205645854U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620351092.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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