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公开(公告)号：CN205645854U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620351092.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN205428988U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620205188.8
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N?GaN、有源发光层及P?GaN构成；导电层形成在P?GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P?GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N?GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P?GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本实用新型可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN205303512U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201521024108.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本实用新型在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN205645860U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282727.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
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公开(公告)号：CN205428991U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620103259.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN205428930U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620140940.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种高压LED，涉及LED的制造技术领域。包括设置在衬底上的多个元胞，各元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间设置金属连接层；每个元胞包括N?GaN层、量子阱层和P?GaN层，在P?GaN层上设置第一电极，在N?GaN层上设置第二电极，其特征在于在各元胞的量子阱层侧壁、N?GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N?GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P?GaN层侧壁及P?GaN层表面设置DBR绝缘层。由于以上设置，可减少因为N极挡住的光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN205282496U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201521027641.2
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别是公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
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公开(公告)号：CN205104513U
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201520783121.8
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种大尺寸发光二极管，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区上设置第一电极，在n区上设置第二电极；其特征在于：p区设置复合的多层欧姆接触层结构，ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上，第一电极设置在ITO导电层上。本实用新型可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。
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