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公开(公告)号：CN114944444A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210499134.7
申请日：2022-05-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法，通过在外延叠层表面设置DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔；第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极；第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极。使LED芯片表面采用锡合金电极结构，实现了免锡膏封装方式，避免锡膏钢网印刷精度不高导致的连锡等异常问题；同时，避免了锡膏印刷情况下钢网精准控制等问题。
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公开(公告)号：CN114188448A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010961831.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底、外延结构、截止层和透明导电层，其中，所述截止层具有贯穿所述截止层的通孔，以露出部分所述外延结构，所述透明导电层设于所述通孔中露出的外延结构上和所述截止层上，以使得所述透明导电层位于所述截止层上的部分与所述外延结构不接触，从而降低所述LED芯片承受瞬间大电压时，所述LED芯片被击穿的概率。
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公开(公告)号：CN114188447A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010961928.1
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法，通过在制作金属接触层之前，在所述P型半导体层背离所述衬底的一侧形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；之后，通过所述第二凹槽结构，在所述P型半导体层上设置金属接触层；并且，使所述金属接触层和所述平坦化绝缘层的厚度相同。也就相当于是，将金属接触层嵌入在平坦化绝缘层中，从而抵消了金属接触层带来的凸起形貌，进而在焊接电极完成后，P电极结构也不会存在一个凸起圆环，PN电极会大致处于一个水平高度，在长期的应用过程中，电极的受力是平均的，可以避免凸起形貌应力集中所带来的漏电和失效风险。
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公开(公告)号：CN111584691B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010461643.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底、外延片、复合导电层、第一钝化层、P电极以及N电极，其中，复合导电层包括欧姆接触层和至少两层透明导电层，至少两层透明导电层的致密性沿预设方向逐渐降低，从而在对至少两层透明导电层进行刻蚀后，使得复合导电层靠近第一区域的侧面到第一区域之间的距离沿预设方向逐渐增大，进而增大复合导电层靠近第一区域的侧面与第一区域所成的角度，使其角度的取值位于140度～160度范围内，以提高后续第一钝化层形成后，第一钝化层在复合导电层该侧面的包覆性，降低第一钝化层位于复合导电层侧面的部分发生断裂的概率，提高所述LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN110137201B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910441110.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951964A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110200475.5
申请日：2021-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金层；其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金‑铝合金层。已知金属铝和金‑铝合金均具有很好的抗腐蚀能力，因此位于第一金层上的第一合金层和第一铝层以及位于第二金层上的第二合金层和第二铝层能够避免第一金层和第二金层在盐雾环境中发生电化学腐蚀，进而避免由于所述第一金层和所述第二金层发生电化学腐蚀而破坏所述第一金层和所述第二金层上的布线，导致LED芯片失效。
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公开(公告)号：CN110055514B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910501159.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/513
Abstract: 本申请公开了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，气相沉积设备通过向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲，并且通过提供射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使等离子体对腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入二次污染的问题。并且气相沉积设备块可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体的气体脉冲的频率，还可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体压强，可以实现对腔体内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体内部不同部位的全方位清洁。
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公开(公告)号：CN110571315A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910859367.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括第一氮化镓层、有源层、第二氮化镓层，第一氮化镓层与第二氮化镓层的掺杂类型不同；位于第二氮化镓层背离衬底一侧预设区域的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第二氮化镓层一侧，覆盖第二氮化镓层的复合膜层，复合膜层包括层叠的欧姆接触层、绝缘点阵层、第一导电层，其中，绝缘点阵层包括多个不连续的绝缘单元；与第一氮化镓层背离衬底的一侧电连接第一电极；与复合膜层背离第二氮化镓层的一侧电连接第二电极。该LED芯片具有较高的电流横向扩展能力和较高的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110544737A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910864541.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种具有改性区域的发光二极管及其制备方法，其中，所述具有改性区域的发光二极管的外延结构中处于最外侧的第一半导体层具有呈预设图案的改性区域，所述改性区域中的第一半导体层为绝缘膜层，且所述改性区域在所述衬底上的正投影与第一电极结构和第二电极结构在所述衬底上的正投影互不交叠，绝缘的改性区域在一定程度上增加了电流扩展层与外延结构的接触电阻，从而缩小电流扩展层与外延结构的接触电阻与电流在电流扩展层中的扩散电阻的差距，有利于促进外延结构中的电流向远离第一电极结构的外围扩展，进而改善现有技术中发光二极管的电流扩展效果不佳的现象。
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公开(公告)号：CN107768496B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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