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公开(公告)号：CN107680983B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711042353.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法，该Micro LED阵列器件的生长衬底远离所述发光二极管结构一侧具有磁性材料层，发光二极管结构上方具有粘结层。该Micro LED阵列器件拾取装置包括承载板及其表面的磁电材料层；与磁电材料层电连接的控制电路，位于所述磁电材料层表面上包括多个绝缘窗口和隔离块的绝缘窗口层。本发明由控制电路对拾取装置上的磁电材料层与在Micro LED阵列器件的磁性材料层之间磁性强弱的控制，从而实现Micro LED阵列器件的转移。
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公开(公告)号：CN108807629B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810939754.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
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公开(公告)号：CN108417675B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN109860349B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860349A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN105655458B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN109817780A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910106867.8
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构包括多个LED子芯片，每个LED子芯片包括衬底和位于衬底上的外延层，以及位于外延层上的第一电极和第二电极，其中，相邻两个LED子芯片之间设置有隔离深沟槽，隔离深沟槽的部分区域设置有桥接绝缘隔离层。覆盖有桥接绝缘隔离层的部分隔离深沟槽对应的外延层侧壁为非粗化的侧壁，而其他区域的外延层侧壁均为粗化的侧壁。通过将外延层的侧壁粗化，从而能够减少侧向直接出射的光，将侧向出射的光反射至LED芯片正面出射，进而提供高压LED芯片结构的发光效率。同时，桥接绝缘隔离层设置为非粗化侧壁，如此，可避免因外延层侧壁粗化导致桥接处绝缘层覆盖不佳的问题。
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公开(公告)号：CN109817779A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910106878.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。
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公开(公告)号：CN107331742B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710596447.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V‑pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V‑pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。
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