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公开(公告)号：CN117279486A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310844778.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑]MEH‑PPV，形成MEH‑PPV层；在MEH‑PPV层上真空蒸镀全氟酞菁铜F16CuPc，形成F16CuPc层；MEH‑PPV层和F16CuPc层组成异质结忆阻器的功能层。本发明采用真空蒸镀在MEH‑PPV层上制备纳米尺度的F16CuPc薄膜，通过质子和空穴共同的转移作用，两者协同提高器件的传输性能，降低单层器件的开启电压与电流，节约率功率消耗。
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公开(公告)号：CN117082875A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310725119.4
申请日：2023-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性本体异质结的低操作电压缓变忆阻器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域，其结构由下而上依次为基底、底电极、功能层和顶电极四个部分，其特征在于，所述基底为导电玻璃，所述底电极是氧化铟锡ITO，所述功能层为p型材料P3HT与n型材料PCBM组成的本体异质结，其由p型材料P3HT和n型材料PCBM是由混溶的溶液旋涂而成，所述的顶电极是铝。提高了器件的电学性能，为提高神经形态计算开拓了一条有效的路径。器件的三明治结构易于设计，工艺操作简单，良品率高，具有普适性。
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公开(公告)号：CN116709790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310781543.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116471848A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310434614.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
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公开(公告)号：CN116234425A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310257896.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259684B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN114512607A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN110423238B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN109053722B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN108054169B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711128735.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/11517 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。
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