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公开(公告)号：CN108336978B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810021512.4
申请日：2018-01-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种级联的分布式低噪声放大器，包括第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器，所述各级放大器由均由增益单元和片上电感构成，并且各级放大器的增益单元的结构完全相同；其中，所述片上电感和各增益单元的输入阻抗构成了输入人工传输线，及片上电感和各增益单元的输出阻抗构成了输出人工传输线；并且，所述各级放大器的增益单元均采用单端输入转差分输出的结构。本发明结构简单，输入回波损耗低、带内波动小、增益高、噪声系数低，可以克服传统放大器的增益带宽积的限制，在很宽频带内得到较大的平坦增益，并实现良好的噪声性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108336978A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810021512.4
申请日：2018-01-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/26 , H03F2200/451 , H03F2200/54 , H03G3/3036
Abstract: 本发明公开了一种级联的分布式低噪声放大器，包括第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器，所述各级放大器由均由增益单元和片上电感构成，并且各级放大器的增益单元的结构完全相同；其中，所述片上电感和各增益单元的输入阻抗构成了输入人工传输线，及片上电感和各增益单元的输出阻抗构成了输出人工传输线；并且，所述各级放大器的增益单元均采用单端输入转差分输出的结构。本发明结构简单，输入回波损耗低、带内波动小、增益高、噪声系数低，可以克服传统放大器的增益带宽积的限制，在很宽频带内得到较大的平坦增益，并实现良好的噪声性能。
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公开(公告)号：CN112383672A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011131006.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种兼顾隐私保护和数据质量的图像采集方法、装置及存储介质，旨在解决图像隐私保护效果和数据质量难以兼顾的技术问题。其包括：根据图像收集任务获取多幅原始图像；对原始图像进行差分隐私保护和编码处理，获得加噪图像和加噪图像的哈希码；对所有加噪图像的哈希码进行迭代聚类，形成N个簇，每个簇中包含多个哈希码；根据簇中每个哈希码与该簇质心点之间的汉明距离进行哈希码筛选，获取高质量哈希码；根据高质量哈希码从所有加噪图像中提取高质量图像，将高质量图像作为最终图像采集结果。本发明能够能够很好的兼顾图像隐私保护和数据质量，获取不易泄露隐私的、高可用性、高质量、高可靠性的图像。
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公开(公告)号：CN112383672B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011131006.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种兼顾隐私保护和数据质量的图像采集方法、装置及存储介质，旨在解决图像隐私保护效果和数据质量难以兼顾的技术问题。其包括：根据图像收集任务获取多幅原始图像；对原始图像进行差分隐私保护和编码处理，获得加噪图像和加噪图像的哈希码；对所有加噪图像的哈希码进行迭代聚类，形成N个簇，每个簇中包含多个哈希码；根据簇中每个哈希码与该簇质心点之间的汉明距离进行哈希码筛选，获取高质量哈希码；根据高质量哈希码从所有加噪图像中提取高质量图像，将高质量图像作为最终图像采集结果。本发明能够能够很好的兼顾图像隐私保护和数据质量，获取不易泄露隐私的、高可用性、高质量、高可靠性的图像。
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公开(公告)号：CN118782141A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410754134.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16B20/30
Abstract: 本发明涉及基因数据分析领域，具体涉及一种基于表型的遗传疾病分析方法。本发明通过对表型数据清洗、构建疾病表型本体论、分别计算疾病表型相似性与基因相关性，最后得到表型‑蛋白质互作关系。本发明算法设计的结果可以揭示不同遗传疾病之间的联系和共同性，为疾病的病因和发病机制研究提供了新的视角和思路。与现有技术相比，本发明的技术方案具有更高的准确性和效率，能够更好地揭示遗传疾病之间的相关性，有助于深入研究疾病的分子机理和治疗方法的发展。
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公开(公告)号：CN117279486A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310844778.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑]MEH‑PPV，形成MEH‑PPV层；在MEH‑PPV层上真空蒸镀全氟酞菁铜F16CuPc，形成F16CuPc层；MEH‑PPV层和F16CuPc层组成异质结忆阻器的功能层。本发明采用真空蒸镀在MEH‑PPV层上制备纳米尺度的F16CuPc薄膜，通过质子和空穴共同的转移作用，两者协同提高器件的传输性能，降低单层器件的开启电压与电流，节约率功率消耗。
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