-
公开(公告)号：CN106208997A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/3036
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
-
公开(公告)号：CN103546104B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
-
公开(公告)号：CN104953984A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510357707.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/30
Abstract: 本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，第一电流镜，第二电流镜，第三电流镜，反馈电容，可调电阻，第一可调电流源，第二可调电压源。其中：两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器能够把第二跨导放大器的输入电容回转成等效电感。可调电阻用于提高晶体管合成电感的等效电感值与品质因子Q值。第一电流镜中的一个MOS晶体管与第一跨导放大器中的一个晶体管连接构成电路复用的负阻网络，提高了Q值。采用反馈电容与三个电流镜构成的前向反馈电流源，改善了电感的1-dB压缩点和总谐波失真。本发明电感可应用于放大器中，提高放大器的线性度，并且当输入信号的幅度变化时，放大器的增益稳定。
-
公开(公告)号：CN103956986A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410186734.3
申请日：2014-05-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值可调谐差分式有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有差分有源电感实部损耗比较大、Q值不高的问题；该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构，还包括有源电阻反馈网络，它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成，并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接；所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成，且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接，并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起；本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐，可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。
-
公开(公告)号：CN103888083A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410106213.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103546119A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503465.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。
-
公开(公告)号：CN101656267B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910093286.1
申请日：2009-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。
-
公开(公告)号：CN119765007A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411853896.8
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种二维集成半导体激光器阵列仿生水冷热沉，包括由进水口、出水口、水冷柱、腔内室、下螺纹孔、下密封凹槽和腔外壁组成的水冷腔，仿生拓扑导流槽和水冷台。水冷柱顶端包含多圈出水孔，其中每个出水孔均具有相同的半径，且其顶部与台板之间的距离均相等，同时同一圈上的出水孔到水冷柱中心的距离均随着从水冷柱中心向外侧对应的出水孔圈数的增加呈指数增大。仿生拓扑导流槽包含多圈凹槽，其中每个凹槽均具有相同的宽度，同时从每个凹槽中心到仿生拓扑导流槽中心的距离随着从仿生拓扑导流槽中心向外侧对应的凹槽圈数的增加呈指数增大。本发明可以实现对二维集成半导体激光器阵列的有效散热和快速响应，提升光学性能。
-
公开(公告)号：CN119677190A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411871238.1
申请日：2024-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种带有独立吸收区及超表面结构的双极晶体管型硅基光探测器的制备方法。此探测器包括SOI衬底上的顶硅层(次集电区)，n型硅层(集电区)，p型锗硅层(基区)，n型多晶硅层(发射区)。吸收区为n型多晶硅层。在SOI衬底上外延生长多层材料，包括Si层/Si集电区、SiGe层/SiGe基区、多晶硅层/多晶Si发射区；刻蚀多晶硅层并填充SiO2形成隔离区；刻蚀形成发射区台面和集电区台面，沉积钝化绝缘层，刻蚀并制备电极接触孔，溅射沉积并制作金属电极；在吸收区的多晶硅层中制作超表面结构。该器件分离光探测吸收和光电流放大，分别优化吸收区结构参数和双极型晶体管的结面积，高速响应并光吸收效率高，拓展吸收探测波长至1300‑1550nm。
-
公开(公告)号：CN114462232B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202210097217.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，属于微波器件建模领域，用于解决基于人工神经网络的微波器件建模中确定最优模型结构的问题。本发明提出一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，通过采用全新的多层神经网络模型结构，结合基于l1正则化的误差函数来训练该神经网络模型，实现了模型隐藏层层数和每个隐藏层中神经元个数的同时调节，最终获得最优的模型结构。本发明方法可以针对不同的微波建模问题，自适应获得不同的最优模型结构，可在实际使用中节省模型开发的时间，具有灵活和高效的优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
130
records
(took 0.027 seconds)
