公开(公告)号：CN119677190A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411871238.1

申请日：2024-12-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  徐子脉 ,  葛云鹏 ,  扈文泰 ,  马玉冬 ,  刘子明 ,  张万荣

IPC: H10F30/24 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明涉及一种带有独立吸收区及超表面结构的双极晶体管型硅基光探测器的制备方法。此探测器包括SOI衬底上的顶硅层(次集电区)，n型硅层(集电区)，p型锗硅层(基区)，n型多晶硅层(发射区)。吸收区为n型多晶硅层。在SOI衬底上外延生长多层材料，包括Si层/Si集电区、SiGe层/SiGe基区、多晶硅层/多晶Si发射区；刻蚀多晶硅层并填充SiO2形成隔离区；刻蚀形成发射区台面和集电区台面，沉积钝化绝缘层，刻蚀并制备电极接触孔，溅射沉积并制作金属电极；在吸收区的多晶硅层中制作超表面结构。该器件分离光探测吸收和光电流放大，分别优化吸收区结构参数和双极型晶体管的结面积，高速响应并光吸收效率高，拓展吸收探测波长至1300‑1550nm。

公开(公告)号：CN119562638A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411694020.3

申请日：2024-11-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  葛云鹏 ,  徐子脉 ,  马玉冬 ,  扈文泰 ,  刘子明 ,  焦伟钊 ,  刘俣狄 ,  张万荣

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/24 ,  H10F77/42

Abstract: 一种具有周期性光控单元的垂直入射型Si基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体光电子技术领域，方法包括：在p型Si基衬底上生长Si/SiGe HPT外延结构，包括复合基区，淀积掩膜层，制作周期性光控单元，刻蚀发射区、基区和集电区台面，淀积电学隔离层，刻蚀光窗口和接触孔，套刻后溅射金属Ti/Au，带胶剥离退火形成金属电极。本发明利用周期性光控单元将垂直入射平面波耦合为横向传输波的能力，增强Si/SiGe HPT吸收区的吸收效率，并减少特定波段入射光在表面的反射率，同时减少PN结电容面积，有利于器件快速工作，可以在不改变吸收层厚度的前提下，兼顾探测器的响应度和效率。