公开(公告)号：CN119562638A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411694020.3

申请日：2024-11-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  葛云鹏 ,  徐子脉 ,  马玉冬 ,  扈文泰 ,  刘子明 ,  焦伟钊 ,  刘俣狄 ,  张万荣

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/24 ,  H10F77/42

Abstract: 一种具有周期性光控单元的垂直入射型Si基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体光电子技术领域，方法包括：在p型Si基衬底上生长Si/SiGe HPT外延结构，包括复合基区，淀积掩膜层，制作周期性光控单元，刻蚀发射区、基区和集电区台面，淀积电学隔离层，刻蚀光窗口和接触孔，套刻后溅射金属Ti/Au，带胶剥离退火形成金属电极。本发明利用周期性光控单元将垂直入射平面波耦合为横向传输波的能力，增强Si/SiGe HPT吸收区的吸收效率，并减少特定波段入射光在表面的反射率，同时减少PN结电容面积，有利于器件快速工作，可以在不改变吸收层厚度的前提下，兼顾探测器的响应度和效率。