公开(公告)号：CN101656267B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910093286.1

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN101656267A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910093286.1

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN201508838U

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200920222559.3

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。