公开(公告)号：CN101656267B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910093286.1

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN101656267A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910093286.1

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN201956979U

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201020692052.7

申请日：2010-12-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吕长志 ,  彭振宇 ,  齐浩淳 ,  佘烁杰 ,  刘庆 ,  刘书萌 ,  郭敏 ,  杨娟 ,  王任卿

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型提出了具有复位功能的可编程增益放大器，包括：运放单元组，用于对输入信号进行放大或缩小；电阻网络单元，与所述运放单元组的输出端连接，通过所述电阻网络单元的等效电阻比值来调节所述输入信号放大或缩小的倍数；以及开关组单元，连接于所述运放单元组和电阻网络单元之间，根据开关组单元的输入控制端的控制信号来选择可编程增益放电路的工作状态，并调节所述电阻网络单元中的等效电阻比值。本实用新型的可编程增益放大器电路简单易行、支持多种工作模式且极低功耗。

公开(公告)号：CN201937551U

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201120012294.1

申请日：2011-01-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吕长志 ,  彭振宇 ,  佘烁杰 ,  孟宪磊 ,  黄月强 ,  范宇 ,  张健 ,  盖辰宁 ,  王任卿

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型公开了一种基于可编程增益放大器（PGA单元）的信号处理电路，包括：输入信号保持单元，用于对输入的小信号的进行保持；PGA单元，与上述的输入信号保持单元连接，用来选择输入的小信号的增益衰减幅度；加减法运算单元，其与上述的PGA单元输出相连接，用来实现对PGA单元输出不同信道的小信号幅度进行加减法运算；输出信号保持单元，与上述的加减法运算单元连接，实现对已完成加减法运算的信道小信号进行保持，并将其传送到电路的输出端。本信号处理电路解决了PGA电路仅仅只能对单一信道的输入信号增益进行处理而不能处理多信道信号之间增益的相互影响的问题，可更好的完成对输入的不同信道之间的信号增益处理，给设计者带来很大的自由度。

公开(公告)号：CN201508838U

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200920222559.3

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。