公开(公告)号：CN112531073B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202011033951.0

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  向洋 ,  郭敏 ,  沙印 ,  张万荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/11

Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。

公开(公告)号：CN112531073A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011033951.0

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  向洋 ,  郭敏 ,  沙印 ,  张万荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/11

Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。

公开(公告)号：CN102510649A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110336129.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢雪松 ,  彭振宇 ,  张小玲 ,  齐浩淳 ,  佘硕杰 ,  杨娟 ,  郭敏 ,  吕长志

IPC: H05B41/295

Abstract: 本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(4)、下拉单元(5)所组成，该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效，使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。本发明的自启动电路可调节充放电单元中管子尺寸(宽长比W/L)，控制本身电路的输出，进而完成当芯片开始上电时或者芯片工作不正常时，电子整流器不能正常开启开关功率管的缺陷，可以更好的保护电路。

公开(公告)号：CN110047969A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910371801.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  沙印 ,  郭敏 ,  马佩 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明公开了一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，采用SOI衬底替换Si衬底。该探测器包括一SOI衬底，由下层Si层和SiO2层构成；在SOI衬底上依次制备出一Si次集电区、一Si集电区、一SiGe基区和一多晶Si发射区。因为Si材料和SiO2材料折射率不同产生的折射率差，Si/SiO2界面会形成一个反射镜，入射光到达SOI衬底中Si/SiO2界面后会被反射而再次吸收，提高吸收效率；此外，SOI衬底中的SiO2层的存在可以隔离衬底下层Si中产生的慢载流子并降低器件的寄生电容，从而提高工作速度。将光电探测器制作在SOI衬底上可以实现高速高效的光探测。

公开(公告)号：CN102510649B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110336129.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢雪松 ,  彭振宇 ,  张小玲 ,  齐浩淳 ,  佘硕杰 ,  杨娟 ,  郭敏 ,  吕长志

IPC: H05B41/295

Abstract: 本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(4)、下拉单元(5)所组成，该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效，使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。本发明的自启动电路可调节充放电单元中管子尺寸(宽长比W/L)，控制本身电路的输出，进而完成当芯片开始上电时或者芯片工作不正常时，电子整流器不能正常开启开关功率管的缺陷，可以更好的保护电路。

公开(公告)号：CN201956979U

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201020692052.7

申请日：2010-12-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吕长志 ,  彭振宇 ,  齐浩淳 ,  佘烁杰 ,  刘庆 ,  刘书萌 ,  郭敏 ,  杨娟 ,  王任卿

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型提出了具有复位功能的可编程增益放大器，包括：运放单元组，用于对输入信号进行放大或缩小；电阻网络单元，与所述运放单元组的输出端连接，通过所述电阻网络单元的等效电阻比值来调节所述输入信号放大或缩小的倍数；以及开关组单元，连接于所述运放单元组和电阻网络单元之间，根据开关组单元的输入控制端的控制信号来选择可编程增益放电路的工作状态，并调节所述电阻网络单元中的等效电阻比值。本实用新型的可编程增益放大器电路简单易行、支持多种工作模式且极低功耗。