公开(公告)号：CN112531073B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202011033951.0

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  向洋 ,  郭敏 ,  沙印 ,  张万荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/11

Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。

公开(公告)号：CN112531073A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011033951.0

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  向洋 ,  郭敏 ,  沙印 ,  张万荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/11

Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。

公开(公告)号：CN110047969A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910371801.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  沙印 ,  郭敏 ,  马佩 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明公开了一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，采用SOI衬底替换Si衬底。该探测器包括一SOI衬底，由下层Si层和SiO2层构成；在SOI衬底上依次制备出一Si次集电区、一Si集电区、一SiGe基区和一多晶Si发射区。因为Si材料和SiO2材料折射率不同产生的折射率差，Si/SiO2界面会形成一个反射镜，入射光到达SOI衬底中Si/SiO2界面后会被反射而再次吸收，提高吸收效率；此外，SOI衬底中的SiO2层的存在可以隔离衬底下层Si中产生的慢载流子并降低器件的寄生电容，从而提高工作速度。将光电探测器制作在SOI衬底上可以实现高速高效的光探测。