公开(公告)号：CN106067417A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610247871.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李忠钟 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。

公开(公告)号：CN105390388A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510542345.4

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。一实施方式的方法包括：(a)第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，蚀刻第一区域，且在第一区域和第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和(b)第二步骤，利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域。在该方法的第一步骤中，等离子体由脉冲状的高频电力生成。此外，交替反复进行第一步骤和第二步骤。

公开(公告)号：CN104851794A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510076454.1

申请日：2015-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  加藤隆彦 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1区域上的保护膜厚的保护膜。在工序(b)中，利用碳氟化合物气体的等离子体来对第1区域进行蚀刻。在工序(a)中，将被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度。

公开(公告)号：CN102209426B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110084206.3

申请日：2011-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其根据处理控制壁电位。在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对晶片进行等离子体处理的蚀刻装置(10)包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源(150)；施加电位调整用的高频电力的电位调整用高频电源(140)和施加直流电压的直流电源(130)中的至少任意一个；载置晶片的载置台(125)；和位于载置于载置台(125)的晶片的外侧且与载置台(125)相对地配置，与电位调整用高频电源(140)和直流电源(130)中的至少任意一个连接的辅助电极(165)。

公开(公告)号：CN102683247A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072681.3

申请日：2012-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  斋藤祐介 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。

公开(公告)号：CN1992164B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN101042991B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200710089463.X

申请日：2007-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  儿玉法明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。本发明的等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对所述处理空间施加高频电力的高频电极，对所述处理空间施加直流电压的直流电极，以及在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。所述接地电极配置于所述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。

公开(公告)号：CN101692423B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910008930.0

申请日：2009-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山昇一郎 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H05H1/24 ,  G03F1/16

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表而以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案，以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻，处理气体至少含有CF3I气体，向载置被处理基板的下部电极施加具有13.56MHz以下的频率的高频电力。

公开(公告)号：CN101546700B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910129460.3

申请日：2009-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中山博之 ,  本田昌伸 ,  增泽健二 ,  岩田学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。

公开(公告)号：CN101515545B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910009325.5

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩田学 ,  中山博之 ,  增泽健二 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率-阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。