公开(公告)号：CN106067417B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201610247871.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李忠钟 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。

公开(公告)号：CN106067417A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610247871.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李忠钟 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。