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公开(公告)号：CN111244227B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010062554.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/105 , G02B6/136
Abstract: 本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第一限制层、有源层和第二限制层进行刻蚀，形成光电器件的台面；在InP层上外延生长形成探测器PIN结构；对探测器PIN结构进行刻蚀，形成探测器的台面；对光电器件的台面进行H离子注入，并进行P型隔离；对InP层进行刻蚀以隔离光电器件和探测器，并将硅波导与空气接触；在InP层、光电器件和探测器的表面沉积电极。如此，可以降低硅基光子集成的难度，可以缩小光子芯片的尺寸。
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公开(公告)号：CN115831877A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211599584.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8256 , H01L27/088 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级联功率器件、且可实现高导热，从而解决氧化镓无法制备常关器件和散热的问题。
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公开(公告)号：CN115618693A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211426306.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/16 , G06F111/04
Abstract: 本申请公开一种声表面波谐振器仿真方法及系统，包括获取待仿真的声表面波谐振器的横向切片模型，确定横向切片模型中的镜像部分和非镜像部分；从镜像部分和非镜像部分各自提取预设层网格，得到镜像单元和非镜像单元；对于非镜像单元，利用有限单元法对非镜像单元的网格进行组装，得到有限元的系统矩阵作为第一矩阵；对第一矩阵进行排序处理，施加电势约束和周期条件得到第二矩阵；对于镜像单元，对第二矩阵进行对称处理得到第三矩阵；对第二矩阵和第三矩阵进行级联，得到声表面波滤波器的横向切片模型的仿真模型。本申请可针对拼接面不一致的情况进行级联，减少所需有限元仿真单元，加快横向切片模型的仿真速度，并提高仿真结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114465594B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
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公开(公告)号：CN115425945A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211034733.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器，包括：支撑衬底、压电层、谐振器构件和杂模抑制构件；压电层设置在支撑衬底上；谐振器构件设置在支撑衬底上；杂模抑制构件的一端与谐振器构件的输出端连接，杂模抑制构件的另一端接地；杂模抑制构件的谐振峰所在频率与谐振器构件高频杂散模式的中心频率一致，且当杂模抑制构件的最低频率激发模式为零阶水平剪切波模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的第一预设数值倍数，当杂模抑制构件的最低频率激发模式为高频杂散模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的波长的第二预设数值倍数。本发明能够有效抑制声表面波谐振器材料本身特性产生的高频杂模，提高声表面波滤波器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864006B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110034385.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/266 , H01L21/225 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN115274943A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN115001438A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN112530803B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011410376.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制备N极性面GaN基HEMT器件以及Ga极性面GaN基HEMT器件，扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN114362719A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111466267.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法，单片集成声波滤波阵列包括：支撑衬底；支撑衬底包括多个支撑区域，多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域，第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理；位于支撑衬底上表面的压电层；多个支撑区域中每个支撑区域在对应的区域表面(如压电层内)上能够激发预设声波模式和/或预设声波频率，多个支撑区域对应多个不同的预设声波模式和/或预设声波频率；位于压电层上表面的电极阵列；电极阵列包括多个电极，多个电极与多个支撑区域一一对应。如此，可以实现多频段声学器件的单片集成，解决实际需求中声表面波谐振器、体声波谐振器等协同工作带来的体积大、工艺复杂、成本高等问题。
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