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公开(公告)号：CN115618693A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211426306.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/16 , G06F111/04
Abstract: 本申请公开一种声表面波谐振器仿真方法及系统，包括获取待仿真的声表面波谐振器的横向切片模型，确定横向切片模型中的镜像部分和非镜像部分；从镜像部分和非镜像部分各自提取预设层网格，得到镜像单元和非镜像单元；对于非镜像单元，利用有限单元法对非镜像单元的网格进行组装，得到有限元的系统矩阵作为第一矩阵；对第一矩阵进行排序处理，施加电势约束和周期条件得到第二矩阵；对于镜像单元，对第二矩阵进行对称处理得到第三矩阵；对第二矩阵和第三矩阵进行级联，得到声表面波滤波器的横向切片模型的仿真模型。本申请可针对拼接面不一致的情况进行级联，减少所需有限元仿真单元，加快横向切片模型的仿真速度，并提高仿真结果的准确性。
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公开(公告)号：CN115425945A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211034733.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器，包括：支撑衬底、压电层、谐振器构件和杂模抑制构件；压电层设置在支撑衬底上；谐振器构件设置在支撑衬底上；杂模抑制构件的一端与谐振器构件的输出端连接，杂模抑制构件的另一端接地；杂模抑制构件的谐振峰所在频率与谐振器构件高频杂散模式的中心频率一致，且当杂模抑制构件的最低频率激发模式为零阶水平剪切波模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的第一预设数值倍数，当杂模抑制构件的最低频率激发模式为高频杂散模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的波长的第二预设数值倍数。本发明能够有效抑制声表面波谐振器材料本身特性产生的高频杂模，提高声表面波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN116318023B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310354290.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
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公开(公告)号：CN118209628A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410186256.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合衬底的电声换能结构及其制备方法和应用，所述结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的压电薄膜(2)；位于所述压电薄膜(2)上方的金属电极；所述金属电极由第一汇流条(3)和第二汇流条(4)组成；所述第一汇流条(3)位于所述第二汇流条(4)内部。本发明既可以通过输入电学信号激发弹性波，也可以对物体中的弹性波进行探测，使得激励和检测都可通过本发明的结构实现。
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公开(公告)号：CN116401995B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310355365.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/23
Abstract: 本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：对声表面波器件进行建模，得到声表面波器件模型；针对多个预设频率中的每个预设频率，执行：基于预设频率对核心单元模型进行解析处理，得到核心单元模型的系统矩阵方程；对系统矩阵方程中的各项参数进行分类和重排处理，得到核心单元模型的初始目标矩阵方程；基于核心单元模型的初始目标矩阵方程确定目标矩阵方程；基于目标矩阵方程确定预设频率下声表面波器件的导纳；基于声表面波器件的导纳，确定声表面波器件导纳的频率响应有限元仿真曲线。通过本申请实施例提供的一种声表面波器件的仿真方法，可以加速计算过程，并且减少计算机资源占用和仿真时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117997301A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410004876.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成能够对压电声波强反射的铁电畴壁，所述铁电畴壁使得朝向孔径边界正向传播的行波和朝向孔径边界反向传播的行波的相位相等。本发明在实现横向模抑制的同时，没有影响主模的谐振特性，并且也没有改变原有的IDT的工艺以及参数空间。
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公开(公告)号：CN115563836A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211379718.7
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种多物理场耦合谐振器的仿真方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括获取待求解谐振器模型，识别待求解谐振器模型中的多个物理场；对待求解谐振器模型进行立方体网格划分，并将网格划分后的待求解谐振器模型分为多个网格区域，通过有限元法获取所有网格区域的系统矩阵；其中系统矩阵中的自由度向量包含待求解谐振器模型中多个物理场的物理场分量基于对矩阵中相同物理场分量进行耦合的方式，将所有网格区域依次进行拼接，以获取待求解谐振器模型的系统矩阵；对待求解谐振器模型的系统矩阵进行求解，以获取目标求解物理量。本发明实现谐振器中多物理场的仿真结合，减少了求解的时间，同时也减小了需要计算矩阵的内存。
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公开(公告)号：CN119395907A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411450935.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法，所述多物理场声光交调波导包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上的介质层；位于所述介质层上的压电薄膜；位于所述压电薄膜上的图案化金属结构；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上方形成波导；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成第一光栅耦合器和第二光栅耦合器；所述图案化金属结构包括第一压电换能器、第二压电换能器、第一调制电极和第二调制电极；所述第一调制电极和第二调制电极位于所述波导两侧且平行于波导。本发明把声场和光场限制到一个波导，同时传播两种物理场并进行调制，可以增加信息传播的密度，以及增加调制的效率。
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公开(公告)号：CN119254174A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411274341.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种兰姆波谐振器及其制备方法，包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的叉指电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的功能散热薄膜；位于所述功能散热薄膜下方的支撑衬底；所述功能散热薄膜底部设有周期排布或非周期排布的高深宽比凹槽；所述叉指电极对应的压电薄膜区域悬空。本发明通过设置鳍片散热式结构，大大增加薄膜与空气接触的面积，显著增强谐振器的散热能力，进而增强其功率容量和热稳定性；同时，该结构还可以通过对声波的散射，抑制杂散模式在谐振器中的谐振，起到抑制杂散模式的作用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116401995A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310355365.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/23
Abstract: 本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：对声表面波器件进行建模，得到声表面波器件模型；针对多个预设频率中的每个预设频率，执行：基于预设频率对核心单元模型进行解析处理，得到核心单元模型的系统矩阵方程；对系统矩阵方程中的各项参数进行分类和重排处理，得到核心单元模型的初始目标矩阵方程；基于核心单元模型的初始目标矩阵方程确定目标矩阵方程；基于目标矩阵方程确定预设频率下声表面波器件的导纳；基于声表面波器件的导纳，确定声表面波器件导纳的频率响应有限元仿真曲线。通过本申请实施例提供的一种声表面波器件的仿真方法，可以加速计算过程，并且减少计算机资源占用和仿真时间。
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