TFT装置和制造方法
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108352409A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680055460.1

    申请日:2016-08-26

    Abstract: TFT装置从具有相互绝缘的狭长的半导体材料条带的基板开始制造。层的堆栈在该基板上的该条带上方,该堆栈包含栅极电极层。多层级抗蚀剂层提供于该栅极电极层上方。该多层级抗蚀剂层界定栅极和源极漏极区,信道在平行于该条带的方向运行。在该抗蚀剂层中的栅极部分跨越该抗蚀剂层中的源极漏极区,从而在任一侧上超出该源极漏极区至少相当于该条带的节距的距离。

    用于评估劣化语音信号的质量的方法及装置

    公开(公告)号:CN106663450A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580022707.5

    申请日:2015-03-19

    CPC classification number: G10L25/69 G10L21/0232 G10L25/21 G10L25/78

    Abstract: 本发明涉及一种对从传递参考语音信号的音频传输系统接收的劣化语音信号的质量进行评估的方法。所述方法包括:将信号采样为参考信号帧和劣化信号帧,以及通过将参考信号帧与劣化信号帧彼此相关联来形成帧对。为每个帧对提供表示干扰的差函数,然后针对具体干扰类型补偿差函数,以提供干扰密度函数。基于多个帧对的干扰密度函数确定总体质量参数。本方法提供了对总体质量参数的补偿,以达到克服以下问题的目的:在当前的测量标准中,没有正确地对仅存在于与自然语音相比微不足道的语音活动的频带中的噪声的影响进行建模。

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