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公开(公告)号：CN107683522A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201680031100.8
申请日：2016-04-26
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor： 罗布·雅各布·亨德里克斯 , 丹·安东·万登恩德 , 埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67356 , H01L21/67751 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2021/60007 , H01L2221/68354 , H01L2221/68381 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/75252 , H01L2224/75253 , H01L2224/7526 , H01L2224/75502 , H01L2224/75611 , H01L2224/7565 , H01L2224/75702 , H01L2224/75753 , H01L2224/75804 , H01L2224/75824 , H01L2224/759 , H01L2224/7598 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81224 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 在闪光灯(5)和基底(3)之间设置芯片载体(8)。芯片(1a)在芯片载体(8)的面向基底(3)的一侧上被附接到芯片载体(8)。在芯片(1a)和基底(3)之间设置焊料材料(2)。闪光灯(5)产生用于加热芯片(1a)的光脉冲(6)。芯片(1a)的加热使得芯片(1a)从芯片载体(8)朝向基底(3)脱离，以朝向基底(3)非接触地转移。焊料材料(2)通过与经加热的芯片(1a)接触而至少部分地熔融，用于将芯片(1a)附接到基底(3)。可以在闪光灯(5)和芯片(1a)之间设置掩蔽装置(7)，掩蔽装置(7)包括被配置成使光脉冲(6)的光(6a)选择性地通过到达芯片(1a)的掩蔽图案(7a)。可以如下将具有(例如由不同的尺寸(表面积和/或厚度)、热容量、吸收率、传导率、焊料接合的数目和/或尺寸引起的)不同加热特性的多个芯片同时从芯片载体(8)转移到基底(3)并且焊接到基底(3)，使用掩蔽装置(7)，通过掩蔽装置(7)的光脉冲(6)在不同区域中造成不同光强度，从而用不同光强度加热芯片，用于至少部分地补偿所述不同加热特性，以减少由于光脉冲(6)的加热而导致的芯片之间的温度差距。
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公开(公告)号：CN115398034A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180025731.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor： 罗布·雅各布·亨德里克斯
Abstract: 本文提供了板(1)，其包括将要使用具有波长(λR3)的单色光子辐射(R3)沉积到靶材表面(51)上的功能材料(2)。所述板包括基底(10)，所述基底(10)具有被引导朝向靶材表面的第一表面(11)和接收单色光子辐射的第二表面(12)。第一表面(11)被图案化为具有一个或多个凹陷区域(111)，所述凹陷区域(111)具有介电涂层(4)并且填充有所述功能材料。介电涂层(4)包括一系列折射率交替的介电涂层子层(41,42,43)。与对于以45度角入射到介电涂层(4)的所述单色辐射(R3)的反射率相比，所述介电涂层(4)对于垂直于介电涂层(4)入射的所述单色辐射(R3)具有相对高的反射率。从而减轻了剪切力，而不需要高的对准精度。本申请还提供了包括该板的沉积装置和涉及该板的方法。
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公开(公告)号：CN107683522B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201680031100.8
申请日：2016-04-26
Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor： 罗布·雅各布·亨德里克斯 , 丹·安东·万登恩德 , 埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 在闪光灯(5)和基底(3)之间设置芯片载体(8)。芯片(1a)在芯片载体(8)的面向基底(3)的一侧上被附接到芯片载体(8)。在芯片(1a)和基底(3)之间设置焊料材料(2)。闪光灯(5)产生用于加热芯片(1a)的光脉冲(6)。芯片(1a)的加热使得芯片(1a)从芯片载体(8)朝向基底(3)脱离，以朝向基底(3)非接触地转移。焊料材料(2)通过与经加热的芯片(1a)接触而至少部分地熔融，用于将芯片(1a)附接到基底(3)。可以在闪光灯(5)和芯片(1a)之间设置掩蔽装置(7)，掩蔽装置(7)包括被配置成使光脉冲(6)的光(6a)选择性地通过到达芯片(1a)的掩蔽图案(7a)。可以如下将具有(例如由不同的尺寸(表面积和/或厚度)、热容量、吸收率、传导率、焊料接合的数目和/或尺寸引起的)不同加热特性的多个芯片同时从芯片载体(8)转移到基底(3)并且焊接到基底(3)，使用掩蔽装置(7)，通过掩蔽装置(7)的光脉冲(6)在不同区域中造成不同光强度，从而用不同光强度加热芯片，用于至少部分地补偿所述不同加热特性，以减少由于光脉冲(6)的加热而导致的芯片之间的温度差距。
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