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公开(公告)号:CN108474650A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680065427.7
申请日:2016-10-05
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Abstract: 测量部(100)测量半导体晶片(10)的边缘部(300)的截面形状(S201)。测量部(100)测量支撑部件(20)的边缘部(300)的截面形状(S203)。测量部(100)测量粘合晶片(30)的边缘部(400)的截面形状(S205)。解析部(220)通过从粘合晶片的厚度(t4)减去半导体晶片(10)的厚度(t1)以及支撑部件(20)的厚度(t2)而计算出粘合剂(40)的厚度(t3)(S207)。
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公开(公告)号:CN107757172A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710290303.5
申请日:2017-04-27
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: B41N1/24
Abstract: 本发明提供一种丝网印刷版,在使用向厚度为5μm以上且25μm以下的金属箔开设了开口部的金属箔网眼构件的丝网印刷版中,难以产生金属箔网眼构件的断裂。丝网印刷版具备:金属箔网眼构件,其具有指状电极用图案,该指状电极用图案沿着厚度为5μm以上且25μm以下的金属箔的一方向配置有多个开口部,且用于设置指状电极;以及覆盖多个开口部的一部分的树脂,金属箔网眼构件被支承为,比起沿着指状电极用图案的开口部延伸的一方向的张力,沿着与一方向垂直的方向的张力较小。
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公开(公告)号:CN106795624A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201680002116.6
申请日:2016-06-03
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Inventor: 松村仁実
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C21/00 , C23C14/34 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种具有与现有的铝溅镀靶材相同程度的导电性且可减少损伤的发生的溅镀靶材。本发明的铝溅镀靶材包含0.005原子%~0.04原子%的Ni、及0.005原子%~0.06原子%的La,且剩余部分为Al及不可避免的杂质。
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公开(公告)号:CN106716058A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201580049986.4
申请日:2015-07-31
Abstract: 本发明所涉及的形状测定装置以及形状测定方法分别测定第一距离测定部及第二距离测定部在相向方向上的第一位移及第二位移,基于所述第一距离测定部及第二距离测定部分别测定出的第一距离测定结果及第二距离测定结果,求出用所述测定出的第一位移及第二位移修正过的被测定物沿所述相向方向的厚度来作为被测定物的形状,其中,所述第一距离测定部及第二距离测定部隔着测定对象的所述被测定物互相相向地被配置,分别测定至所述被测定物为止的距离。
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公开(公告)号:CN104379802B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201380031944.9
申请日:2013-07-19
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3411 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种在背衬板上,经由粘合材,留出间隔而配置有多个氧化物靶构件的靶组装体。所述靶组装体在氧化物靶构件和背衬板之间,具有跨越所述间隔而设的由从Ni、Si、Hf和Ta所构成的组中选择的至少一种或两种以上构成的内衬构件。
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公开(公告)号:CN103311147B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201310068740.4
申请日:2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时,具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此,这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时,即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下,也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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公开(公告)号:CN103764345B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201280040082.1
申请日:2012-08-17
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B23D61/185 , B28D5/007 , H01L21/304 , Y02P70/179 , Y10T428/24479 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种使用锯丝切断工件时,加工变质层深度浅,能够得到平滑的表面的切断体的树脂被覆锯丝。本发明涉及树脂被覆锯丝,是一种以锯床切断工件时所使用的树脂被覆锯丝,其含有:钢线;和被覆所述钢线的表面,不含磨粒,并且120℃下的硬度为0.07GPa以上的树脂皮膜,所述树脂皮膜,以抑制在切断工件所喷吹的磨粒侵入树脂皮膜的方式控制硬度。
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公开(公告)号:CN102985358B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201180031772.6
申请日:2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末,其中,Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量%以上。本发明的粉末优选含有20质量%以下的In-Se系化合物和/或20质量%以下的Cu-In系化合物。
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公开(公告)号:CN104619674A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380047358.3
申请日:2013-09-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85%以上,在所述氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均晶粒直径小于10μm。对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时,Zn2SnO4相和InGaZnO4相为主相,InGaZn2O5相为3体积%以下。
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公开(公告)号:CN102762338B
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201180010405.8
申请日:2011-02-23
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B23D61/185 , B23D65/00
Abstract: 本发明提供一种在钢丝的表面被覆有树脂的树脂被覆锯丝切断工件时,加工变质层深度浅,能够得到平滑的表面的切断体的树脂被覆锯丝的设计方法。(1)以规定的硬度的树脂被覆钢丝,(2)以所得到的树脂被覆锯丝切断工件,(3)调查工件的切断面的加工变质层深度,(4)确认加工变质层深度的合格与否,(5)不合格时,以更硬的树脂被覆钢丝,通过反复进行上述(2)~(4),以使工件的切断面的加工变质层深度达到合格的方式调节树脂的硬度。
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