-
公开(公告)号:CN102985358B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201180031772.6
申请日:2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末,其中,Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量%以上。本发明的粉末优选含有20质量%以下的In-Se系化合物和/或20质量%以下的Cu-In系化合物。
-
公开(公告)号:CN102985358A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201180031772.6
申请日:2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末,其中,Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量%以上。本发明的粉末优选含有20质量%以下的In-Se系化合物和/或20质量%以下的Cu-In系化合物。
-