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公开(公告)号：CN108258047A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711091337.8
申请日：2017-11-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/76283 , H01L21/76802 , H01L21/76897 , H01L21/84 , H01L23/5226 , H01L27/1203 , H01L29/41733 , H01L29/66772 , H01L29/78618 , H01L29/78624 , H01L29/78654 , H01L29/78 , H01L29/0684 , H01L29/0688 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，外延层(EPI2)的宽度比外延层(EPI1)的宽度大，与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI2)的端部的厚度比与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI1)的端部的厚度小，元件隔离部(STI)与插塞(PLG2)之间的最短距离(L2)比元件隔离部(STI)与插塞(PLG1)之间的最短距离(L1)大。
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公开(公告)号：CN108258047B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201711091337.8
申请日：2017-11-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，外延层(EPI2)的宽度比外延层(EPI1)的宽度大，与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI2)的端部的厚度比与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI1)的端部的厚度小，元件隔离部(STI)与插塞(PLG2)之间的最短距离(L2)比元件隔离部(STI)与插塞(PLG1)之间的最短距离(L1)大。
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公开(公告)号：CN102379036B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN200980158496.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/314 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76832 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本申请发明的目的在于提供一种提高半导体器件可靠性的技术，即使在层间绝缘膜的一部分中使用介电常数低于氧化硅膜的低介电常数膜的情况下，也能够提高半导体器件可靠性。具体而言，为了实现所述目的，由中杨氏模量膜形成构成第1精细层的层间绝缘膜IL1，因此能够使一体化的高杨氏模量层(半导体基板1S与接触层间绝缘膜CIL)与构成第2精细层的层间绝缘膜(低杨氏模量膜、低介电常数膜)IL2不直接接触地分离，能够分散应力。结果能够防止由低杨氏模量膜构成的层间绝缘膜IL2的膜剥离，能够提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102379036A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200980158496.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/314 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76832 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本申请发明的目的在于提供一种提高半导体器件可靠性的技术，即使在层间绝缘膜的一部分中使用介电常数低于氧化硅膜的低介电常数膜的情况下，也能够提高半导体器件可靠性。具体而言，为了实现所述目的，由中杨氏模量膜形成构成第1精细层的层间绝缘膜IL1，因此能够使一体化的高杨氏模量层(半导体基板1S与接触层间绝缘膜CIL)与构成第2精细层的层间绝缘膜(低杨氏模量膜、低介电常数膜)IL2不直接接触地分离，能够分散应力。结果能够防止由低杨氏模量膜构成的层间绝缘膜IL2的膜剥离，能够提高半导体器件的可靠性。
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