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公开(公告)号：CN103441095B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310099950.X
申请日：2013-03-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/486 , H01L21/6836 , H01L21/76852 , H01L21/76898 , H01L22/14 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/11462 , H01L2224/13022 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路器件的制造方法。TSV技术已经作为多个半导体芯片的堆叠技术中的一种而得以普及。但是本发明人发现当利用所谓的通孔优先工艺、通孔中间工艺、正通孔通孔最后工艺等形成TSV时，可能会发生由后续工艺中的静电击穿导致的诸如栅击穿的缺陷。为了克服上述问题，本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，其中通过在半导体衬底中形成孔、在空中形成绝缘构件以及在所得的空中掩埋导电构件且同时利用绝缘构件覆盖除底部之外的孔的部分来形成贯通通孔电极。
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公开(公告)号：CN103824815A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310576884.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28282 , H01L27/105 , H01L27/1104 , H01L27/11573 , H01L29/401 , H01L29/42344 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。目的在于通过在相同衬底上形成非易失性存储器和MOSFET时防止栅极电极中晶粒尺寸增大来提供一种具有改进可靠性的半导体器件。可以通过分别从相同层的薄膜形成非易失性存储器的控制栅极电极与其它MOSFET的栅极电极，并且从两个多晶硅薄膜层的堆叠配置控制栅极电极和栅极电极中的每个来实现该目的。
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公开(公告)号：CN103441095A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310099950.X
申请日：2013-03-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/486 , H01L21/6836 , H01L21/76852 , H01L21/76898 , H01L22/14 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/11462 , H01L2224/13022 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路器件的制造方法。TSV技术已经作为多个半导体芯片的堆叠技术中的一种而得以普及。但是本发明人发现当利用所谓的通孔优先工艺、通孔中间工艺、正通孔通孔最后工艺等形成TSV时，可能会发生由后续工艺中的静电击穿导致的诸如栅击穿的缺陷。为了克服上述问题，本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，其中通过在半导体衬底中形成孔、在空中形成绝缘构件以及在所得的空中掩埋导电构件且同时利用绝缘构件覆盖除底部之外的孔的部分来形成贯通通孔电极。
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