公开(公告)号：CN105719686B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510940599.1

申请日：2015-12-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 蒲原史朗 ,  山县保司 ,  长谷川拓实 ,  杉井信之

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置以及可穿戴装置，能够提供能够在实现低功耗化的同时稳定地动作的半导体装置。半导体装置具备：CPU(26)；系统控制器(24)，指定CPU(26)的动作速度；SRAM(30)，具有P型SOTB晶体管(SP1、SP2)和N型SOTB晶体管(SN1～SN4)，与CPU(26)连接；以及基板偏置电路(23)，与系统控制器(24)连接，能够对P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)供给基板偏置电压(Vsp、Vsn)。此处，在系统控制器(24)指定使CPU(26)以低速进行动作的低速模式时，基板偏置电路(23)将基板偏置电压(Vsp、Vsn)供给到P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)。

公开(公告)号：CN105719686A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510940599.1

申请日：2015-12-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 蒲原史朗 ,  山县保司 ,  长谷川拓实 ,  杉井信之

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/417 ,  G04G21/025 ,  G11C5/146 ,  G11C5/148 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H04B1/385 ,  G11C11/41 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置以及可穿戴装置，能够提供能够在实现低功耗化的同时稳定地动作的半导体装置。半导体装置具备：CPU(26)；系统控制器(24)，指定CPU(26)的动作速度；SRAM(30)，具有P型SOTB晶体管(SP1、SP2)和N型SOTB晶体管(SN1～SN4)，与CPU(26)连接；以及基板偏置电路(23)，与系统控制器(24)连接，能够对P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)供给基板偏置电压(Vsp、Vsn)。此处，在系统控制器(24)指定使CPU(26)以低速进行动作的低速模式时，基板偏置电路(23)将基板偏置电压(Vsp、Vsn)供给到P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)。

公开(公告)号：CN103824815A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310576884.0

申请日：2013-11-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 卯尾崎宽 ,  武田康裕 ,  前川径一 ,  长谷川拓实 ,  舟山幸太 ,  丸山祥辉 ,  柴和利 ,  工藤修一

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。目的在于通过在相同衬底上形成非易失性存储器和MOSFET时防止栅极电极中晶粒尺寸增大来提供一种具有改进可靠性的半导体器件。可以通过分别从相同层的薄膜形成非易失性存储器的控制栅极电极与其它MOSFET的栅极电极，并且从两个多晶硅薄膜层的堆叠配置控制栅极电极和栅极电极中的每个来实现该目的。