公开(公告)号：CN101609828B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910142660.2

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川下道宏 ,  吉村保广 ,  田中直敬 ,  内藤孝洋 ,  赤泽隆

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。如果在芯片背面形成贯通电极以及背面布线，则通过作为贯通电极的一部分的背面布线焊盘以及背面布线，在芯片背面形成凸部。以此为原因，在吸附芯片时引起空气的泄漏而引起芯片吸附力降低。在形成背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)的区域中，预先形成凹部(100)。在该凹部(100)内部设置背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)。由此，通过由于背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)厚度而产生的凸部，确保芯片(1C)背面的平坦性，而不会在处理芯片(1C)时造成吸附力降低。

公开(公告)号：CN101303984B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200810109439.2

申请日：2002-04-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 角义之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦 ,  池上光 ,  菊池隆文

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括下列工序：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有多个封装衬底形成区域、在多个封装衬底形成区域之间形成的分切区域、与多个封装衬底形成区域和分切区域连续地形成的多个布线、以及分别与多个布线电连接的多个键合焊盘；(b)在工序(a)之后，去除形成在分切区域中的多个布线；(c)在工序(b)之后，在多个封装衬底形成区域上方分别安装多个半导体芯片，该多个半导体芯片的每个具有主面和形成在该主面上的多个电极；(d)在工序(c)之后，将多个电极分别与多个键合焊盘电连接；(e)在工序(d)之后，用树脂密封多个半导体芯片；以及(f)在工序(e)之后，使用分切刀片来切割分切区域。